HT-7装置低杂波功率扫描实验中的芯区密度涨落形为.ppt

HT-7装置低杂波实验的芯区密度涨落研究;;Some Wide Open Areas in RF Current Drive;; Tore Supra装置上的相关测量结果;;密度涨落研究的意义;; ;二氧化碳激光相干散射原理 ——电磁波相干散射;;2007年HT-7装置低杂波功率扫描实验的芯区密度涨观测(密度涨落强度阈值性爆发现象);HT-7装置低杂波实验芯区密度涨落阈值性爆发的特征;密度涨落阈值性爆发时间与低杂波功率的关联; 影响微观模不稳定性阈值的因素;2008年HT-7装置低杂波功率扫描实验中的芯区密度涨落观测(没有观测到强烈的微观模不稳定性的阈值性爆发)等离子体放电参数IP=120kA,ne=1.5×1019m-3,BT=1.9T;中心道H?线辐射强度在低杂波注入功率约为320kw时，存在着低点，有粒子约束改善现象。是否存在Neoclassical pinch effects associated with trapped electrons？;芯区等离子体电子温度随低杂波注入功率增加的变化趋势；当IP=120kA时，电子温度随低杂??功率增加起伏上升，可能存在微观模转换导致的能量输运变化。;等离子体放电参数IP=150kA, ne=1.5×1019m-3, BT=1.9T?S≈1-1.2mm;在等离子体参数IP=150kA，BT=1.9T,ne=1.5×1019