IC工艺技术.ppt

*;§1.1 芯片的加工环境 §1.2 芯片的衬底材料 §1.3 硅的晶体结构 §1.4 晶向、晶面和堆积模型 §1.5 硅晶体中的缺陷 §1.6 硅中杂质 §1.7 杂质在硅晶体中的溶解度;芯片制造的重要基础;§1.1 芯片的加工环境;沾污 ;沾污引起的主要问题 ; 沾污经常会导致芯片上的缺陷。;沾污的主要类型;*; 是指所有能粘附在硅片表面的小物体。 而悬浮在空气中传播的颗粒称为浮质。;Sizes of Particles; 人体毛发对0.18um的相对尺寸;Micro-Contamination;颗粒引起的问题;颗粒引起的缺陷;How Big of a Particle Is Tolerable?;颗粒检测方法;*;*;金属的玷污;可动离子沾污;不同工艺过程引入的金属污染;*;有机物沾污;有机物沾污的危害性;自然氧化层（Native Oxide）;静电释放;ESD的危害性;ESD的主要控制方法;空气中和法;现代IC Fabs依赖三道防线来控制沾污;Factory environment is cleaned by;沾污源;Sources 1?Air: Particles in Air;*;*;*;净化级;Air Quality Classes;美国联邦标准209E的净化级; 净化级的两种表示方法;超细颗粒;Typical Class Numbers for Various Environments;厂房的净化处理;Total Clean Room Design;Clean-room Elements;Clean-room Functionality;净化间净化系统;HEPA Filter Construction;Floor Plan;Clean-room Facts;ULSI Clean-room Ⅰ;ULSI Clean-room Ⅱ;Big Clean-room;Source 2: Personal ;人员的净化控制措施;超净服;Clean-room Don’t Do;Gowning @ Class 1000;Gowning @ Class 100;Source 3: Process Water ;超纯水; ;DI Water System in Thz Group ;Source 4: Process Chemicals Gases ;工艺化学品;Solution 2: 硅片清洗;Wet Process;一般清洗技术;*;*;Water Cleaning;Water Cleaning-Contamination;Particles;Oil Solvents;Organics;Metals;Oxide;Industrial Wafer Cleaning Procedure;RCA CleaningProcesses;*;*;*;*;*;*; 湿法清洗的问题（2）;*;Solution 3: 吸杂;*;*;*;*;生产设备的净化设计和处理;Clean Workstation/Hoods;*;*;§1.2 芯片的衬底材料;决定原子结构的规则;The Periodic Table;结论;Group IV Elemental Semiconductors;（电）导体 (Conductor) ;绝缘体 (Dielectrics) ;电阻率 (Resistivity) ;本征半导体 Intrinsic Semiconductor;掺杂半导体 Doped Semiconductor;掺杂剂类型;Silicon Crystal Structure;Conduction in n-Type Silicon;Conduction in p-Type Silicon;;??P- and N-Type Silicon Joined;PN结;PN结;*;芯片的衬底材料;;硅 Si;锗;锗 Ge;化合物半导体;砷化镓 GaAs;砷化镓的优点;砷化镓的缺点;*;*;硅是半导体器件最主要的衬底材料;美国联邦标准209E的净化级