半导体基础技巧.ppt

半导体对光的吸收 ;可见，当光在物质中传播时，透过的能量衰减到原来能量的e-1时所透过的路程的倒数等于该物质的吸收系数α，即 ; ;（1-28）;半导体对光的吸收 ;显然，发生本征吸收的条件是光子能量必须大于半导体的禁带宽度Eg，才能使价带EV上的电子吸收足够的能量跃入到导带底能级EC之上，即 ;2.杂质吸收 ;这两种杂质半导体吸收足够能量的光子，产生电离的过程称为杂质吸收。 显然，杂质吸收的长波限 ;3. 激子吸收 ;4. 自由载流子吸收 ;5. 晶格吸收 ; [半导体对光的吸收主要是本征吸收。对于硅材料，本征吸收的吸收系数比非本征吸收的吸收系数要大几十倍到几万倍，一般照明下只考虑本征吸收，可认为硅对波长大于1.15μm的可见光透明（室温下，杂质已全部电离）。;载流子的产生与复合 过剩载流子;*;*;非平衡载流子的产生 ; 光照前半导体中电子和空穴浓度分???是n0和p0，并且n0p0。 光照后的非平衡态半导体中电子浓度n=n0+ △n ，空穴浓度p=p0+ △p ，并且△n= △p 。 比平衡态多出来的这部分载流子△n和△p就称为非平衡载流子。n型半导体中称△n为非平衡多子，△p为非平衡少子。;一般来说：n型半导体中：△n n0，△p n0。 p型半导体中：△n p0，△p p0。;例： ? ? 1 ??cm的n型硅中，n0 ? 5.5?1015cm-3, p0 ?3.1 ?104cm-3. 注入非子 ?n= ? p=1010cm-3 则 ?n n0，小注入 但 ?pp0。; 热平衡状态下，导带中的电子可能会落入价带中，从而带来过剩电子-空穴的复合过程。 也可以说半导体由非平衡态恢复到平衡态的过程，也就是非平衡载流子逐步消失的过程，称为非平衡载流子的复合。;4、过剩少子的寿命　;非子的平均寿命 ? ;非平衡载流子的寿命;非平衡载流子的寿命;*;载流子的扩散运动;*;*;*;*;*;;所以，通过导体任一截面S的电流强度为：;? 与微观量的关系：;;载流子的漂移运动和迁移率 ;*;*;*