模电复习_模拟电子技术基础浅析.docxVIP

 PAGE \* MERGEFORMAT 21 第一章 半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 　*载流子的浓度多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 　*体电阻通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 　*转型通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性同ＰＮ结。 *正向导通压降硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法将二极管断开