PN结浓度实验报告.docxVIP

PN结杂质浓度分布测量与等效模型 姓名：XXX 班级：XXX 指导老师：侯清润，实验日期：2015.11.26 【摘要】根据p-n结反向势垒电容与杂质浓度的关系，采用电容-电压法对p-n结杂质浓度分布进行测量。并使用锁相放大器实现电容-电压法中微小电信号的测量，得到了势垒电容与外加电压的曲线关系并测出p-n结的杂质浓度分布与内建电压。对实验结果进行分析，提出用电容-电阻并联等效模型代替PN结，并对该模型进行理论与实验的相符性分析。 关键词： PN结杂质浓度 锁相放大器 势垒电容 电容-电阻并联等效模型 引言 随着科学技术的日益发展，半导体器件作为一种常见的重要材料，在工业和生活中的应用越来越广泛。同时，为保证半导体元器件作为集成电路的基础能够给满足电学性能的要求，需要控制半导体中杂质的浓度，因而杂质浓度的测量也就成为了半导体材料的基本测量量之一。半导体扩散层有效杂质浓度的分布测量已有许多方法，如C-V测量法，扩展电阻测量法、电化学测量法、扫描电容显微技术、二次离子质谱法（SIMS）和卢瑟福背散射法（RBS）等。[1] 另外也有利用阳极氧化去层结合四探针测量方块电阻的方法也可以得到扩散层有效杂质浓度的分布。[2]本实验采用电容-电压法测量PN结的杂质浓度，画出p-n结C-V曲线并测量n区杂质分布。同时，在实验中为精确测量小幅度的电压信号，需要使用锁相放大器，它可用于测量交流信号的