低频电路-基本放大电路2.ppt

跨导gm 2、绝缘栅型场效应管 电压放大电路总结 场效应管放大电路小结 1 场效应管放大器输入电阻很大。 2 场效应管共源极放大器 漏极输出 输入输出反相，电压放大倍数大于1；输出电阻 RD。 3 场效应管源极跟随器输入输出同相，电压放大倍数小于1且约等于1；输出电阻小。 讨论：带负载能力。 2. 不接射级输出器时的带负载能力： RL 5k ?时： Au -93 RL 1k ?时： Au -31 即：当RL由5k?变为1k?时，放大倍数降低到原来的92.3%。 放大倍数降低到原来的30% RL 5 k?时： Au1 -185，Au2 0.99，ri2 173 k? Au Au1 Au2 -183 RL 1 k?时： Au1 -174 ，Au2 0.97，ri2 76 k? Au Au1 Au2 -169 1. 输出接射极输出器时的带负载能力： 可见输出级接射极输出器后，可稳定放大倍数Au。 3. 若信号经射极输出器后，再经放大后放大电路一输出，求放大倍数Aus 。 Au2 -93 ri2 1.52 k? Au1 0.98 ri 101 k? +EC R1 RC C12 R2 CE RE1 ri uo T1 ui RB C21 RE2 T2 us RS 输入不接射极输出器时： 可见输入级接射极输出器后，由于从信号源取的信号增加，从而可提高整个放大电路的放大倍数Aus。 思考题：若首级接射极输出器、中间级接共射放大电路、末级接射极输出器，射极输出器和共射放大电路的参数同前。求该三级放大电路的放大倍数Au 、 Aus 、 ri和ro 。 RB +EC C4 RE2 uo T3 RL R1 RC C2 R2 CE RE1 T2 ui RB C1 RE2 T1 us RS C3 ?1 100， ?2 60， ?3 100 RB +EC C4 RE2 uo T3 RL R1 RC C2 R2 CE RE1 T2 ui RB C1 RE2 T1 us RS C3 ?1 100， ?2 60， ?3 100 rbe1 2.36 k?， rbe2 1.62 k?， rbe3 2.36 k? RB +EC C4 RE2 uo T3 RL R1 RC C2 R2 CE RE1 T2 ui RB C1 RE2 T1 us RS C3 RB +EC C4 RE2 uo T3 RL R1 RC C2 R2 CE RE1 T2 ui RB C1 RE2 T1 us RS C3 RB +EC C4 RE2 uo T3 RL R1 RC C2 R2 CE RE1 T2 ui RB C1 RE2 T1 us RS C3 RL 5 k?时： ri2 173 k? ， Au2 -185，Au3 0.99 RL 1 k?时： ri2 76 k? ， Au2 -174 ，Au3 0.97 RL 5 k?时： ri2 173 k? ， Au2 -185，Au3 0.99 RL 1 k?时： ri2 76 k? ， Au2 -174 ，Au3 0.97 ，RS 20k?， RL 5 k?时： RL 1 k?时： 即：当RL由5k?变为1k?时，放大倍数降低到原来的92.3%。 RL 5 k?时： Au1 -185，Au2 0.99，ri2 173 k? Au Au1 Au2 -183 RL 1 k?时： Au1 -174 ，Au2 0.97，ri2 76 k? Au Au1 Au2 -169 1. 输出接射极输出器时的带负载能力： 由上述特点可知，射极输出器接在多级放大电路的首级可提高输入电阻；接在末级可减小输出电阻；接在中间级可起匹配作用，从而改善放大电路的性能。 阻容耦合电路的频率特性： f A 耦合电容造成 三极管结电容造成 采用直接耦合的方式可放大缓慢变化的信号，扩大通频带。下面将要介绍的差动放大器即采用直接耦合方式。 阻容耦合电路缺点：不能放大直流信号。 1 静态：适当的静态工作点，使场效应管工作在恒流区，场效应管的偏置电路相对简单。 2 动态：能为交流信号提供通路。 组成原则： 静态分析： 估算法、图解法。 动态分析： 微变等效电路法。 分析方法： § 2.7 场效应管放大电路 场效应管与晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOS 场效应管有两种: N沟道 P沟道 耗尽型 增强型 耗尽型 增强型 一、场效应管简介 （以N沟道为例） 场效应管有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于三极管的截止区、放大区和饱和区。 1、结型场效应管 利用g-s之间电压来控制d-s之间的电流。iD f uGS 转移特性 │uGS│增大到一定值，沟道消失，漏极电流为0。 u