半导体物理学刘恩科第七版 第八章 半导体表面与MIS结构.pptVIP

第八章 半导体表面与MIS结构;8.1 表面态； 8.2 表面电场效应； 8.3 MIS结构的电容-电压特性；;8.1表面态;表面的特殊性： 1.表面处晶体的周期场中断； 2.表面往往易受到损伤、氧化和沾污，从而影响器件的稳定性；;表面能级：由于晶格的不完整性使势场的周期性受到破坏，在禁带中引入附加能级。;理想表面：表面层中原子排列的对称性与体内原子完全相同，且表面不附着任何原子或分子的半无限表面。;8.2表面电场效应;8.2.1 空间电荷层及表面势;多数载流子堆积状态(P型半导体为例) 金属-半导体加反向电压(金属端负)，表面势为负，能带向上弯曲。 ;靠近表面区域，价带顶离费米能级低得多。 表面空穴浓度比体内低得多，这种状态称为耗尽。;表面处费米能级高于禁带中央能级Ei, 使费米能级远离价带顶，靠近导带底，意味着表面处电子浓度将超过空穴浓度。;8.2.2 表面空间电荷层的电场、电势和电容 MIS结构的电容=绝缘层的电容C0+空间电荷区电容Cs;半导体内部，电中性条件成立;半导体表面的电容Cs=-dQs/dVs;1. 多数载流子堆积状态;2. 平带状态;3. 耗尽状态;耗尽状态时，空间电荷层的空穴已全部耗尽，电荷由电离受主杂质构成，所以，耗尽状态也可通过泊松方程解，变为;相当于一个平行板电容器的电容，表面势Vs增加，耗尽层宽度加宽。;4. 反型状态;得强反型条件：;临界反型时;8.3 MIS结构的电容-电压特性;考虑到 QM= -Qs;表明MIS的电容相当于绝缘层的电容和半导体空间电荷区电容相串联。;则C=C0 , MIS结构的电容不随VG变化，总电容等于绝缘层电容，说明半导体内部到表面是导通的。如图AB段所示;若绝缘层厚度d0一定，NA越大，表面空间电荷层越薄CFB/C0也越大。;当Vg为正，空间电荷区处于耗尽时，半导体电容为;反型状态：当外加正向偏压(Vs2 VB时)，耗尽层宽度保持在最大xdm;高频时，反型层中的电子的产生与复合跟不上高频信号的变化，即反型层中的电子数量不能随高频信号的变化而变化。;对同一种半导体，当温度一定时，C’min/C0为绝缘层厚度d0及衬底掺杂浓度NA的函数。;;8.3.2 金属与半导体功函数差对MIS结构C-V特性;半导体中电子的电势能相对于金属的接触电势差 qVms=Ws-Wm;8.3.3 绝缘层中的电荷对MIS结构C-V特性的影响;8.4 硅-二氧化硅系统的性质; 3.界面态： 指硅-二氧化硅界面处位于禁带中的能级或能带，可在很短的时间内和衬底半导体交换电荷，又称为快界面态。使半导体表面的能带发生弯曲。