半导体物理学基础知识.docx

1半导体中的电子状态 1.2半导体中电子状态和能带 1.3半导体中电子的运动 有效质量 1半导体中E与K的关系 2半导体中电子的平均速度 3半导体中电子的加速度 1.4半导体的导电机构 空穴 1硅和锗的导带结构 对于硅，由公式 讨论后可得：  = 1 \* ROMAN I.磁感应沿【1 1 1】方向，当改变B（磁感应强度）时，只能观察到一个吸收峰  = 2 \* ROMAN II.磁感应沿【1 1 0】方向，有两个吸收峰  = 3 \* ROMAN III.磁感应沿【1 0 0】方向，有两个吸收峰  = 4 \* ROMAN IV磁感应沿任意方向时，有三个吸收峰 2硅和锗的价带结构 重空穴比轻空穴有较强的各向异性。 2半导体中杂质和缺陷能级 缺陷分为点缺陷，线缺陷，面缺陷(层错等) 1.替位式杂质 间隙式杂质 2.施主杂质：能级为E(D),被施主杂质束缚的电子的能量状态比导带底E(C)低ΔE(D),施主能级位于离导带底近的禁带中。 3. 受主杂质：能级为E(A),被受主杂质束缚的电子的能量状态比价带E(V)高ΔE(A),受主能级位于离价带顶近的禁带中。 4.杂质的补偿作用 5.深能级杂质：  = 1 \* GB2 ⑴非3，5族杂质在硅，锗的禁带中产生的施主能级距离导带底较远，离价带顶也较远，称为深能级。  = 2 \* GB2 ⑵这些深能级杂质能产生多次电离。 6.点缺陷：弗仑克耳缺陷：间隙原子和空位成对出现。 肖特基缺陷：只在晶体内部形成空位而无间隙原子。 空位表现出受主作用，间隙原子表现出施主作用。 3半导体中载流子的分布统计 电子从价带跃迁到导带，称为本征激发。 一、状态密度 状态密度g(E)是在能带中能量E附近每单位间隔内的量子态数。 首先要知道量子态，每个量子态智能容纳一个电子。 导带底附近单位能量间隔内的量子态数目，随电子的能量按抛物线关系增大，即电子能量越高，状态密度越大。 二、费米能级和载流子的统计分布 在T=0K时，费米能级E(f)可看作是量子态是否被电子占据的一个界限。 附图： 随着温度的升高，电子占据能量小于费米能级的量子态的概率下降，占据高于费米能级的量子态的概率上升。 2波尔兹曼分布函数 在E-E(f)K(0)T时，服从波尔兹曼分布（是费米能级的一种简化形式）。 附：导带中电子浓度公式 空穴浓度公式 载流子浓度乘积，对于一定的半导体材料，只与温度有关。 三、本征半导体的载流子浓度 附：本征载流子浓度公式 一定的半导体材料，本征载流子浓度随温度升高；在同一温度，禁带宽度E(g)越大，本征载流子浓度就越小。 四、杂质半导体的载流子浓度 附：电离得施主浓度，受主浓度 可以看出，对于施主杂质，当费米能级远在施主能级下时，可以认为几乎都电离，反之可以认为几乎没有电离，当重合时，施主杂质有1/3电离，2/3没有电离。同理，费米能级在受主杂质能级之上时，完全电离，反之； N型半导体的载流子浓度 附：电中性条件 各个温度的情况：  = 1 \* GB3 ①低温弱电离区：大部分施主杂质能级被电子占据，只有少量的被激发，称为弱电离。此时导带中的电子完全有电离施主杂质提供。 附 低温弱电路区的费米能级表达式 低温弱电离区E(f)与T的关系  = 2 \* GB3 ②中间电离区 有1/3电离。  = 3 \* GB3 ③强电离区 温度升高至大部分杂质都电离，当施主杂质全部电离时，电子浓度等于施主杂质浓度，载流子浓度与温度无关。载流子浓度保持等于这一浓度的温度范围称为饱和区。  = 4 \* GB3 ④过渡区 半导体处于饱和区与完全本征激发之间。  = 5 \* GB3 ⑤高温本征激发区 此时费米能级接近禁带中线，载流子浓度随温度升高而迅速升高。 附：电子浓度与温度曲线 六、简并半导体 附：简并的条件 简并是杂质没有充分电离。 4半导体导电性 一、载流子的漂移运动 迁移率 迁移率：单位场强下电子的平均漂移速度。 半导体的导电作用是电子和空穴到点作用之和。 附半导体导电率公式 二、载流子的散射 主要由于周期性势场的破坏。  = 1 \* GB3 ①电离杂质散射：由于杂质电离之后带电…散射概率与杂质浓度成正比，与温度成反比。  = 2 \* GB3 ②晶格振动的散射 六、电阻率及其与杂质浓度和温度的关系  = 1 \* ROMAN I.电阻率和杂质浓度 随浓度增加而下降，但不是直线。因为：1 杂质在室温下不能完全电离2迁移率随浓度增加而显著下降。  = 2 \* ROMAN II.电阻率随温