半导体物理第六、七章习题答案.docxVIP

第六章课后习题解析 1.一个Ge突变结的p区n区掺杂浓度分别为NA=1017cm-3和ND=5?1015cm-3，该pn结室温下的自建电势。 解：pn结的自建电势 已知室温下，eV，Ge的本征载流子密度 代入后算得： 4.证明反向饱和电流公式（6-35）可改写为 式中，和分别为n型和p型半导体电导率，为本征半导体电导率。 证明：将爱因斯坦关系式和代入式（6-35）得 因为，，上式可进一步改写为 又因为 即 将此结果代入原式即得证 注：严格说，迁移率与杂质浓度有关，因而同种载流子的迁移率在掺杂浓度不同的p区和n区中并不完全相同，因而所证关系只能说是一种近似。 2.试分析小注入时，电子（空穴）在5个区域中的运动情况（分析漂移和扩散的方向及相对大小） 答：正向小注入下，P区接电源正极，N区接电源负极，势垒高度降低，P区空穴注入N区，N区电子注入P区。 注入电子在P区与势垒区交界处堆积，浓???高于P区平衡空穴浓度，形成流向中性P区的扩散流，扩散过程中不断与中性P区漂移过来的空穴复合，经过若干扩散长度后，全部复合。 注入空穴在N区与势垒区交界处堆积，浓度比N区平衡电子浓度高，形成浓度梯度，产生流向中性N区的空穴扩散流，扩散过程中不断与中性N区漂移过来的电子复合，经过若干扩散长度后，全部复合。 3.在反向情况下坐上题。 答：反向小注入下，P区接电源负极，N区接电源正极，势垒区电场强度增加，空间电荷增加，势垒区边界向中性区推进。 势垒区与N区交界处空穴被势垒区强电场驱向P区，漂移通过势垒区后，与P区中漂移过来的空穴复合。中性N区平衡空穴浓度与势垒区与N区交界处空穴浓度形成浓度梯度，不断补充被抽取的空穴，对PN结反向电流有贡献。 同理，势垒区与P区交界处电子被势垒区强电场驱向N区，漂移通过势垒区后，与N区中漂移过来的电子复合。中性P区平衡电子浓度与势垒区与P区交界处电子浓度形成浓度梯度，不断补充被抽取的电子，对PN结反向电流有贡献。 反向偏压较大时，势垒区与P区、N区交界处的少子浓度近似为零，少子浓度梯度不随外加偏压变化，反向电流饱和。 5.一硅突变pn结的n区?n=5??cm，?p=1?s；p区?p=0.1??cm，?n=5?s，计算室温下空穴电流与电子电流之比、饱和电流密度，以及在正向电压0.3V时流过p-n结的电流密度。 解：由，查得， 由，查得， ∴由爱因斯坦关系可算得相应的扩散系数分别为 ， 相应的扩散长度即为 对掺杂浓度较低的n区，因为杂质在室温下已全部电离，，所以 对p区，虽然NA=5?1017cm-3时杂质在室温下已不能全部电离，但仍近似认为pp0=NA， 于是，可分别算得空穴电流和电子电流为 ∴ 空穴电流与电子电流之比 饱和电流密度： 当U=0.3V时： = 6．条件与上题相同，计算下列电压下的势垒区宽度和单位面积上的势垒电容：  = 1 \* GB3 ①－10V； = 2 \* GB3 ②0V； = 3 \* GB3 ③0.3V。 解：对上题所设的p+n结，其势垒宽度 式中， 外加偏压U后，势垒高度变为，因而  = 1 \* GB3 ① U=－10V时，势垒区宽度和单位面积势垒电容分别为  = 2 \* GB3 ② U=0V时，势垒区宽度和单位面积势垒电容分别为  = 3 \* GB3 ③ U=0.3V 正向偏压下的pn结势垒电容不能按平行板电容器模型计算，但近似为另偏压势垒电容的4倍，即 7.计算当温度从300K增加到400K时，硅pn结反向电流增加的倍数。 解：根据反向饱和电流JS对温度的依赖关系（讲义式(6－26)或参考书p.193）： 式中，Eg(0)表示绝对零度时的禁带宽度。由于比其后之指数因子随温度的变化缓慢得多，主要是由其指数因子决定，因而 9.已知突变结两边的杂质浓度为NA=1016cm-3，ND=1020cm-3。①求势垒高度和势垒宽度 ②画出E（x）和V（x）图。 解： 平衡势垒高度为 11.分别计算硅n+p结在正向电压为0.6V、反向电压为40V时的势垒区宽度。已知NA=5*1017cm-3,VD=0.8V。 解： 对n+-p结 势垒区宽度 当时， 当时， 12．分别计算硅p+n结在平衡和反向电压45V时的最大电场强度。已知VD=0.7V，。 解：势垒宽度：  = 1 \* GB2 ⑴平衡时，即U=0V时 最大场强：  = 2 \* GB2 ⑵时： 最大场强 13.求题5所给硅p+n的反向击穿电压、击穿前的空间电荷区宽度及其中的平均电场强度。 解：按突变结击穿电压与低掺杂区电阻率的关系，可知其雪崩击穿电压 UB = 95.14＝95.14?751/4=318 V 或按其n区掺杂浓度9?1014/c