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半导体集成电路9章上
半导体集成电路;第九章 基本CMOS模拟电路;MOS模拟开关;NMOS模拟开关的非理想模型;一些主要参数及特性;导通电阻与VGS之间的关系;NMOS模拟开关的问题;CMOS模拟开关的电阻-VSD特性;有源电阻;交流小信号模型和电压-电流特性;电流沉与电流源电路;
同样，电流源电路要正常工作，必须满足：
;这样的电流沉/电流源电路结构简单。但是有两方面需要改进：
增加小信号输出电阻，使输出电流更稳定。
减小Vmin的值，使输出电压范围更宽。
改进方法：采用Cascode（共源共栅）结构。
;电流源输出电阻提高技术;电流源输出电阻提高技术—— Cascode技术;电流镜电路;Date;按比例复制电流
;误差因素;NMOS基本电流镜仿真结果;Wilson 电流镜;Date;NMOS Wilson电流镜仿真结果;CMOS基本放大器;CMOS共源放大器（1） ;CMOS共源放大器（2）;CMOS共源放大器（3）;CMOS共漏放大器（1）;CMOS共漏放大器（2）;CMOS???栅放大器（1）;CMOS共栅放大器（2）;三种基本放大器比较;CMOS共源共栅放大器（1）;CMOS共源共栅放大器（2）;CMOS共源共栅放大器（3）
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