常用半导体器件(二).ppt

多级放大电路;各级要求;设计选择;2 级间耦合;（一）直接耦合;提高后级发射极电位的直接耦合电路;NPN-PNP直接耦合电路;（2）零点漂移的问题;抑制温度漂移的方法;直接耦合放大电路的优缺点;（二）阻容耦合;工作原理;在两级阻容耦合放大器中，由于存在耦合电容、旁路电容、晶体管极间等效电容、导线间分布电容，放大器的放大倍数将随着信号频率的变化而变化。 当信号频率升高或降低时，放大倍数均有较大幅度的下降。当信号频率升高，使放大倍数下降为中频时放大倍数（Aum）的0.7倍时，这个频率称为上限截止频率fH；同样，当信号频率降低，使放大倍数下降为Aum的0.7倍的频率称为下限截止频率fL。 放大器的通频带记作fbw,且 它表明放大电路对不同频率信号的适应能力。放大器的通频带越宽，表明对信号频率的适应能力越强;;3.多级放大电路分析;例1下图是一个直接耦合两级???大电路，晶体管放大倍数均为50，（1）调节Rp输,使入电压为0时，输出电压VO=0，并观察各级静态工作点 （2）输入电压为10mv的正弦源，观察输出波形 (3)利用交流分析，求动态参数Au、Ri、Ro。;（1）调节Rp;Vo与Rp的关系曲线;（2）静态工作点;输入输出波形;（3）求动态参数;V(VO)/V(VI)波形;V(VI)/I(VI)波形;求输出电阻的电路;V(VO)/I(VO)波形;例下面是一个阻容耦合电路,调整R13和R14的值使第一级和第二级输出电压波形都不失真;设置参数;分析参数设置;分析波形;确定rp1=80k;确定rp2=40k;场效应晶体管;场效应管的结构;MOS场效应管模型参数;Mos管工作区偏压条件;例3 查看nMOS增强型的输入输出特性曲线;转移特性;转移特性曲线;输出特性;Vds-Id特性曲线;例4分析N沟道增强型MOSFET反馈偏置放大器;Bias Point 分析;图解法 （输出特性）;分析一下Rd对Q点的影响？（图见上页） 增大，Q点下移 分析一下Vdd对Q点的影响？ Vdd减小，Q点向下平移 ;温度分析;场效应管与晶体管的性能比较 ;4．场效应管栅极几乎不取电流（ig=0）；而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。 5.场效应管只有多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，因少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，所以场效应管比三极管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。 6.场效应管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。 7．场效应管和三极管均可组成各种放大电路和开关电路，但由于前者制造工艺简单，且具有耗电少，热稳定性好，工作电源电压范围宽等优点，因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。 ;CMOS反相器;说明;电路结构;工作原理;实现反相器功能（非逻辑） VTP和VTN总是一管导通而另一管截止，流过VTP和VTN的静态电流极小（纳安数量级），因而CMOS反相器的静态功耗极小。这是CMOS电路最突出的优点之一。;例5 分析CMOS反相器的输入输出特性;瞬态分析设置;输入输出波形;I(C1)和I(VDD)的电流波形;设置直流扫描分析参数;输入输出转换波形;例5分析CMOS二输入或非门电路;瞬态分析参数设置;输入输出结果;将两个输入脚接在一起，观察其输入输出转换波形;交流扫描分析参数设置;; Op-Amp（运算放大器） ;Op-amp的内部结构原理框图 ;1 用uA741运放组成的倒向比例器 ;用pspice分析时，可以设置DC Sweep，V1从0V-2V变化，增量为0.1V ;非倒向比例器 ;电压跟随器 ;加法器 ;积分器 ;输出波形;多级Op-Amp电路 ;低通有源滤波器 ;分析结果;高通有源滤波器;分析结果;带通滤波器 ;分析结果;OP-AMP推挽式功率放大器 ;输入输出电压波形;电压增益;输出功率;输入功率;效率;光控报警器;分析设置;IC（Q2）与电压和可调电阻的关系;振荡器;单稳态多谐振荡器;工作过程;趣味测谎仪电路;Rp=100k时输出波形;Rp=1000k时输出波形;简易扩音器电路;扩音器电路;;;触摸式报警器;单管调频发射机;1）话筒MIC采集外界的声音信号，电阻R3为MIC提供一定的直流偏压，R3的阻值越大，话筒采集声音的灵敏度越弱，电阻越小话筒的灵敏度越高。 2）话筒采集到的交流声音信号通过C2耦合和R2匹配后送到三极管的基极 3）电路中D1和D2两个二极管反向并联，主要起一个双向限幅的功能，二极管的导通电压只有0.7V，如果信号电压超过0.7V就会被二极管导通分流，这样可以确保声音信号的幅度可以限制在正负0.7V之间，过强的声音信号会使三极管过调制，产