第三章光源与光发射机.ppt

3、调制特性 如下图为半导体激光器的直接调制的原理图。 激光器中的光反馈及FP腔 这种光学结构称为法布里－珀罗谐振腔，简称F-P谐振腔。 在LD中，作为增益媒质晶体两端的自然解理面形成反射镜，即光腔。 由于在谐振腔中，光波是在两块反射镜之间往复传输的，这时只有在满足特定相位关系的光波才能得到彼此加强，因此这种条件称为相位条件， 激光器中振荡光频率只能取某些分立值，不同q的一系列取值对应于沿谐振腔轴向一系列不同的电磁场分布状态，一种分布就是一个激光器的纵模。相邻两纵模之间的频率之差： 称为纵模间隔，它与谐振腔长及工作物质有关。 F-P腔的透射频谱特性如下图： 半功率点全宽为： F为F-P腔的精细度，可表示为： R增大，F增大。 3、激光振荡的阈值条件 在注入电流的作用下，有源区的受激辐射不断增强，称为增益。 在F-P腔中，每次通过增益媒质时的增益尽管很小，但经过多次振荡后，增益变得足够大。 当腔内增益超过总损耗（包括载流子吸收、缺陷散射及端面输出）时，就产生了激光。 见下图： FP-LD的增益曲线 a 腔模 b 及输出的纵模 c 第四节 半导体激光器的工作特性 1、P-I特性 典型的半导体激光器如下图所示 图4.14 半导体激光器P―I曲线 从图上可以看出，半导体激光器存在阈值电流Ith。当注入电流小于阈值电流时，器件发出微弱的自发辐射光，类似于发光二极管的发光情况。当注入电流超过阈值，器件进入受激辐射状态时，光功率输出迅速增加，输出功率与注入电流基本保持线性关系。 半导体激光器的P―I特性对温度很敏感，下图给出了不同温度下P―I特性的变化情况。 图4.15 半导体激光器P―I曲线随温度的变化 动画演示 由图可见，随着温度的升高，阈值电流增大，发光功率降低。阈值电流与温度的关系可以表示为： 其中,T为器件的绝对温度；T0为激光器的特征温度；I0为常数。 为解决半导体激光器温度敏感的问题，可以在驱动电路中进行温度补偿，或是采用制冷器来保持器件的温度稳定。 通常将半导体激光器与热敏电阻、半导体制冷器等封装在一起，构成组件。热敏电阻用来检测器件温度，控制制冷器，实现闭环负反馈自动恒温。 2、模式特性与线宽 LD输出谱特性，或为多纵模或为单纵模，如下图。 LD的多模 a 及单模 b 输出谱 1、模式特性 从使用来说，首先考虑的是模式的稳定性，它随时间、电流的任何变化都会给系统附加噪声。其次，对高速光纤通信系统来说，单纵模窄谱宽的光源有利于减小光纤色散的影响。 在模式特性上还要注意到横模的问题。 激光振荡也可能出现在垂直于腔轴的平面内，其中TEM00为基横模，TEM10、TEM11等为高次横模。 由于TEM00模的光斑与光纤中基模LP01模场光斑相匹配，故耦合效率最高。 同时LD工作在TEM00模时相干性最好，因此在LD的设计及结构上都应保证基横模工作。 2、线宽 LD输出的有限线宽来自于两个因素： 一、是激光腔内自发发射事件引起的光场相位脉动。 二、是载流子浓度脉动引起的折射率变化，使光腔庇振频率产生变化。简化理论推导的光源线宽Δν可表示为： 式中，X为自发发射事件的平均速率；P为光功率；α为线宽提高因子，表示折射率实部与虚部之比。 由上式可知，为了降低LD的线宽，可采取下列措施： 增大光功率（或腔内总光子数）。 减小自发发射速率。 从外部稳定载流子密度以使幅值-相位耦合最小。 第一点可通过改变腔结构、增加总体积、增加单位体积内储能（如增加端面反射系数）或增加输出功率来实现。 第二点可通过注入锁定来实现。 第三点，通过驱动电流的反馈控制来稳定载流子密度，有效减少激光场的幅值-个位耦合。 激光二极管的调制原理图 a 数字调制； b 模拟调制 与发光二极管的调制不同的是，由于存在阈值电流，在实际的调制电路中，为提高响应速度及不失真，需要进行直流偏置处理。 在高速调制情况下，半导体激光器会出现许多复杂动态性质，如出现电光延迟、张弛振荡、自脉动和码型效应等现象。这些特性会对系统传输速率和通信质量带来影响。 1）张驰振荡 当电流脉冲突然加到LD上时，其光输出呈现下图所示的动态相应，这是注入电子与所产生光子简相互作用的量子力学过程。 LD的张弛振荡特性 当注入电流从零快速增大到阈值以上时，经电光延迟后产生激光输出，并在脉冲顶部出现阻尼振荡，经过几个周期后达到平衡值。 这种特性可定性解释如下： 当阶跃电流加到LD时，有源层中的电子浓度迅速增加。在未达到阈值时没有激光输出，但经过电子延迟时间td后电子浓度达到阈值，并马上产生激光输出。而在光子浓度到稳态值前，电子浓度仍在增大，直到电子浓度达到最大值，而光子浓度达到稳态值。由于导带内超量储存电子，受激复合过程进一步增大，直到光子浓度升到最大值，而电子浓度则降到阈值； 由于光子寿命，及逸