非对称高频晶闸管和缓冲层技术.doc

非对称高频晶闸管和缓冲层技术 潘福泉（1）（2） 关艳霞（1） 高瑞彬（2） （1）沈阳工业大学信息科学与工程学院， 沈阳 110870 （2）锦州市圣合科技电子有限责任公司， 锦州 121017 摘要：叙述了非对称晶闸管的提出和发展历史，简述了非对称晶闸管的基本原理，叙述了三氯氧磷扩散法制造缓冲层的方法，说明了缓冲层技术在现代功率半导体器件中的关键作用。 关键词：高频晶闸管 非对称 缓冲层 现代功率半导体器件 一、前言 非对称晶闸管（Asymmetric Thyristor），简称为ASCR，是一种全新型功率半导体器件。 非对称晶闸管的基本结构是：在普通型晶闸管P1N1P2N2结构中，加入一个中等掺杂浓度（约为1015~1016cm-3），作为N区，又称缓冲层，形成P1 NN1P2N2结构。 1979年，GE公司J.Y.Fichot Chang.M and Adler.M采用低浓度三氯氧磷(POCL3)扩散法率先制成缓冲层N区，进而制成500A/2500V/30μS的ASCR【1】【2】【3】。从此，非对称晶闸管技术获得飞速大发展：81年美国西屋用离子注入技术制成800A/2500V/60微秒的ASCR；美国IR公司推出2500V的ASCR各种ASCR产品；我国株洲电力机车研究所于85年率先完成600A/2500V的ASCR产品【2】。 ASCR中N区的制作方法主要有三种【4】： 1）外延生长法， 2）磷或砷的离子注入法， 3）三氯氧磷(POCL3)扩散法。 近几十年，在扩散方法上又有改进，如有采用： 4）陶瓷磷源片扩散法； 5）P2O5磷+ SiO2乳胶源扩散法。 总之扩散方法最简便实惠，尽管外延法取得了一定成功，但国外多数厂家大都采用扩散法或扩散+离子注入法【3】。 无论低浓度陶瓷磷源片、低浓度二氧化硅乳胶源、还是低浓度三氯氧磷扩散都取得成功，这为非对称高频晶闸管大量应用奠定了成功的基础。 二、非对称晶闸管的提出 在感应加热、不停电电源、焊接、直流传动、交流电动机控制等应用的各种逆变器和斩波器电路中，晶闸管（或快速晶闸管、高频晶闸管）都必须反并联一个续流二极管，以通过负载中的无功电流和减少电容的充电时间。在这些应用领域，不要求晶闸管具有很高的反向阻断能力，但要求很高的电流密度和较短的换向关断时间，即低功耗和高应用频率。牺牲一些线路应用中不必要的???向电压，将基区大大减薄，添加一个N区，构成双基区结构。这就是功耗降低、电流密度提高、速度加快、开关柔软、结温提高、漏电减小的新型电力电子半导体器件—非对称晶闸管ASCR。 在运用非对称晶闸管时，应根据电流负载能力和开关性能，选择一个快速软恢复FRD二极管与之并联，该二极管对抑制关断过程结束时出现的过电压起关键作用。 以往，在上述应用领域曾用过逆导晶闸管，由于在一个芯片上，同步做好相互匹配的快速晶闸管和软快恢复整流二极管的难度，故现在已被放弃使用。 美、欧等先进公司大都改用非对称晶闸管，从而造成了当今非对称晶闸管的研发生产热【4】。 三、非对称晶闸管的工作原理 图1是非对称晶闸管的结构简图以及符号图。它和普通晶闸管的差别就在于多了一个N区，即多了一个缓冲层【4】。 图2是非对称晶闸管和普通晶闸管电场分布示意图【3】，由图2可以看出，普通晶闸管电场是三角形分布，而非对称晶闸管电场是梯形分布，这是普通晶闸管和非对称晶闸管的根本区别。由图可以看到，空间电荷区大大减少了，功耗当然大大降低了，应用频率大大提高了。这是非对称晶闸管的优点所在。 图3是非对称晶闸管浓度分布示意图【2】。从图3可以明了：P1N的结电压是很小的。普通晶闸管的反向电压与其正向电压基本相同，而非对称晶闸管的反向电压只有十几到二十几伏。其反向承担电压的功能由反并联的二极管承担。 四、缓冲层技术 前面提到三种低浓度扩散方法都是可行的方法。其中陶瓷磷源片法最简单，二氧化硅乳胶磷源法次之，三氯氧磷扩散法稍微复杂些，但应用历史最悠久。以下以三氯氧磷(POCL3)扩散法为例，介绍几种已发表的制造非对称晶闸管缓冲层的基本工艺： 1）、N型硅片→镓铝扩散形成P型层→单面磨→低浓度磷扩散形成N-→硼扩散形成P+阳极→氧化、光刻、扩散N+阴极层→以下为常规工艺。 三氯氧磷(POCL3)做扩散杂质源，在较低浓度下预沉积，最佳条件为900℃，携带气体流量为7000毫升/分。如需降低少子寿命，可扩铂、扩金或电子辐照【4】。 2）、采用低温、大流量N2以确保POCL3低浓度扩散的均匀性，采用硼吸收提高基区少子寿命。tq控制采取铂扩散和电子辐照两种方式，均能满足要求。但电子辐照器件的特性更好并有利于提高成品率。 3）、采用POCL3低浓度扩散，目的是寻求（缓冲层）设计值：如宽度30μm，表面浓度≈5.2