手机光敏三极管原理.ppt

Ucc Rc c b e Ubb Rb Re UCE 射极无电阻时： UCE UCC-ICRC 射极有电阻时： UCE UCC-ICRC-IERE ≈UCC-IC RC+RE 则此时的IBS UCC-UCES /β RC+RE ≈UCC/β RC+RE 三极管状态电流判断条件说明 思考：射极加上电阻后的IBS变化吗？如变化如何变化？ 例2. NPN型接法如下。UBE 0.7V，分析电路中三极管处于何种工作状态 Rb +Ucc Rc c b e （a）Rb 100kΩ, Rc 2kΩ,β 40, Ucc 5V 因为IB IBS，所以三极管处在放大状态 例2. NPN型接法如下。UBE 0.7V，分析电路中三极管处于何种工作状态 Rb +Ucc Rc c b e （b）Rb 20kΩ, Rc 2kΩ,β 100, Ucc 5V 因为IB IBS，所以三极管处在饱和状态 例2. NPN型接法如下。UBE 0.7V，分析电路中三极管处于何种工作状态 （c）Rb 30kΩ, Rc 2.5kΩ, β 35, Ucc 5V,Ui 0V或3V Ui 3V，IB IBS，故三极管处在饱和状态 Ui 0V，发射结无正偏，故三极管截止 Ui 3V Rb +Ucc Rc c b e Ui 1.3.3 半导体三极管的基本组态和特性曲线 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示； 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； BJT的三种组态 三极管共射输入特性曲线研究共射电路输入端IB和UBE的关系。 一般来说， IB和UBE的关系就是一个PN结的特性曲线关系。 UCE 0V时，三极管饱和，IB较大。 UCE≥1V时，三极管放大状态，IB比饱和状态稍少，以后随着UCE增大，IB增大不明显。 uCE 0V IB ?A uBE V 20 40 60 80 0.4 0.8 uCE ?1V 1. 共发射极输入特性曲线 截止区：发射结反偏，集电结反偏。IB 0 , uBE 0, uCE uBE。 IB 0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A UCE V 3 6 9 12 1 2 3 4 IC mA 2. 共发射极输出特性曲线 放大区：发射结正偏，集电结反偏。uBE 0且uCE≥uBE。IC ?IB，0 IB IBS 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 uBE 0 ，uCE?uBE。IC ?IB。 IB ≥ IBS 1.3.4 半导体三极管的主要电参数 1. 直流参数 共射直流放大系数 共基直流放大系数 极间反向电流 ICBO：发射极开路，集电结的反向饱和电流 ICEO：基极开路，集电极与发射极间穿透电流 2. 交流参数 共射交流放大系数 共基交流放大系数 3. 极限参数 极间反向击穿电压U BR EBO ， U BR CBO ，U BR CEO 最大集电极耗散功率PCM iCuce 最大集电极电流ICM，即使? 值明显减小的iC 例1-6 某三极管的极限参数PCM 150mW，ICM 100mA，UBRCEO 30V。问：（1）若工作电压UCE 10V，求工作电流IC的最大值？（2）若工作电压UCE 1V，求IC的最大值？（3）若工作电流IC 1mA，求工作电压UCE最大值？ 解：三极管的三个极限参数在使用中均不能超过。 （1）因为PCM ICUCE 150mW，当UCE 10V时，IC 15mA即为此时所允许的最大值。 （2）当UCE 10V时，仅从功率的角度考虑，工作电流可达IC 150mA 。但考虑极限参数，故IC 100mA即为此时所允许的最大值。 （3）当IC 1mA时，仅从功率的角度考虑，可有UCE 150V 。但考虑到UBRCEO参数，故UCE 30V即为此时所允许的最大值。 1.以后课上所称的三极管 半导体三极管，又称为双极结型晶体管（BJT） b e c N N P 基极 发射极 集电极 发射结 集电结 NPN型 PNP型 c b e b c e 三极管的发射极的箭头方向，代表三极管工作在放大，饱和状态时，发射极电流（IE）的实际方向。 1.3.1 概述 半导体三极管的分类： 按材料分： 硅管、锗管 按功率分： 小功率管 500 mW 按结构分： NPN、 PNP 按使用频率分： 低频管、高频管 大功率管 1 W 中功率管 0.5 ?1 W 按结构和材料共有4种组合 1.3.2 半导体三极管的工作原理 工作状态 发射结电压 集电结电压 放大 正向 反向 截止 反向 反向 饱和 正向 正向 倒置 反向 正向 半导体半导体三极管有共有四种工作状态： 三极管的电流放大条件 内部：发射区高掺杂，基区很薄，集电结面积大 外部：发