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§6-1 概述 §6-2 BaTiO3瓷的半导化机理 §6-3 PTC热敏电阻 §6-4 半导体陶瓷电容器 §6-5 ZnO压敏电阻器 §6-6 气敏、湿敏传感器;1.装置瓷、电容器瓷、铁电压电瓷：ρV＞1012Ω?cm ，防止半导化，保证高绝缘电阻率； 半导体瓷：ρV＜106Ω?cm 2. 半导体瓷：传感器用，作为敏感材料，电阻型敏感材料为主： ρV或ρS对热、光、电压、气氛、湿度敏感，故可作各种热敏、光敏、压敏、气敏、湿敏材料。 3.非半导体瓷——体效应（晶粒本身） 半导体瓷——晶界效应及表面效应;;;;;氧化锌避雷器;;;1. BaTiO3半导体瓷 a. PTC热敏电阻瓷 →PTC热敏电阻 b. 半导体电容器瓷 →晶界层电容器、表面层电容器 2. NTC热敏半导体瓷（由Cu、Mn、Co、Ni、Fe等过渡金属氧化物烧成，二元、三元、多元系）→NTC热敏电阻 3. ZnO半导体瓷（当电压低时，I很小，ρ高，当电压＞临界电压，I陡增几个数量级）→压敏电阻 4. 光敏半导体瓷 (CdS、CdSe、PbS等)→光敏元件 5. 气敏半导体瓷 (SnO2、ZnO等)(对O2、H2、CO、乙醇等敏感)→气敏元件 6. 湿敏半导体瓷 (种类很多,如MgCr2O4-TiO2系等)→湿敏元件;半导体陶瓷按照利用的物性分类可分为： 1. 利用晶粒本身性质：NTC热敏电阻； 2. 利用晶粒间界及粒界析出相性质：PTC热敏电阻器，半导体电容器（晶界阻挡层型），ZnO非线性电阻器； 3. 利用表面性质：半导体电容器（表面阻挡层型），湿敏传感器；;§6-2 BaTiO3瓷的半导化机理; 　　在高纯（≥99.9％）BaTiO3中掺入微量（＜0.3％mol）的离子半径与Ba2+相近，电价比Ba2+离子高的离子或离子半径与Ti4+相近而电价比Ti4+高的离子，它们将取代Ba2+或Ti4+位形成置换固溶体，在室温下，上述离子电离而成为施主，向BaTiO3提供导带电子（使部分Ti4++e→Ti3+），从而ρV下降（102Ω?cm），成为半导瓷。; ;电导率与施主杂质含量的关系;原因：(1 ) 若掺杂量过多，而Ti的3d能级上可容的电子数有限，为维持电中性，生成钡空位，而钡空位为二价负电中心，起受主作用，因而与施主能级上的电子复合，ρv↑。 可表示为：;（2）若掺杂量过多，三价离子取代A位的同时还取代B位，当取代A位时形成施主，提供导带电子e，而取代B位时形成受主，提供空穴h，空穴与电子复合，使ρV↑，掺量越多，则取代B位几率愈大，故ρV愈高。 ;在还原气氛中烧结或热处理，将生成氧空位而使部分Ti4+→Ti3+，从而实现半导化。（102～106Ω?cm）;强制还原法往往用于生产晶界层电容器，可使晶粒电阻率很低，从而制得介电系数很高（ε＞20000）的晶界层电容器。 强制还原法所得的半导体BaTiO3阻温系数小，不具有PTC特性，虽然在掺入施主杂质的同时采用还原气氛烧结可使半导化掺杂范围扩展，但由于工艺复杂（二次气氛烧结：还原－氧化）或PTC性能差（只用还原气氛），故此法在PTC热敏电阻器生产中，目前几乎无人采用。;3. AST法;　　对于工业纯原料，由于含杂量较高，特别是含有Fe3+、Mn3+(或Mn2+)、Cu+、Cr3+、Mg2+、Al3+(K+、Na+)等离子，它们往往在烧结过程中取代BaTiO3中的Ti4+离子而成为受主，防碍BaTiO3的半导化。例如： ;1．PTC热敏电阻简介 2．BaTiO3基PTCR的研究进展 3. BaTiO3半导化瓷的PTC机理 4. PTC热敏电阻瓷的制备 5.??PTC热敏电阻器的特性及其应用 ; 普通半导体αT＜0，即T↑，ρv↓↓，原因是载流子数目↑； 绝缘体αT＜0，即 T↑，ρv↓，原因是杂质电离→基质电离； 金属 αT＞0 即T↑, ρv↑ 原因是振动加剧，散射↑， B曲线； PTC αT0，A曲线 NTC αT0，C曲线 CTR αT0，D曲线; 1950年，荷兰Phillip公司的海曼（Haayman）等人在BaTiO3中掺入稀土元素（Sb、La、Sm、Gd、Ho、Y、Nb）时发现BaTiO3的室温电阻率降低到101~104Ω·cm，与此同时，当材料温度超过居里温度时，在几十度的范围内，电阻率会增大4~10个数量级，即PTC效应。;PTCR的实用化从本世纪80年代初开始。 已大量应用于彩电、冰箱、手机等家用电器。 PTCR种类多样化，应用基础均取决于电阻－温度特性、电压－电流特性及电流－时间特性。;电阻－温度特性（阻温特性）;ρ－T特性是PTC热敏电阻最基本的特性，通过ρ－T特性可以求得PTC热敏材