和第一章：常用半导体器件导论.ppt

模拟电子技术基础;一、电子技术的发展;一、模拟电路;二、课程目的;四、重点;五、学习方法;第1章 常用半导体器件;1.1;;;(带负电);;;;;;由于自由电子和空穴所带电荷极性不同，所以它们的运动方 向相反，本征半导体中的电流是两个电流之和。; 正是由于有了“空穴”和“自由电子”两种载流子，使得半导体具有了导电性。因此，半导体导电性的强弱，即电导率就取决于半导体内载流子的浓度。 本征半导体中空穴和自由电子的浓度总是相同的，即空穴和自由电子数量总是相等的。 ;二、 杂质半导体;2. P 型半导体;三、 PN结的形成及其单向导电性;2. PN结的单向导电性;（2） PN 结加反向电压（反向偏置）;PN 结变宽;1． 势垒电容? 当PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将随之变化，即耗尽层的电荷量随外加电压而增多或减少，这种现象与电容器的充、放电过程相同，如图所示。耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容Cb。 当PN结加反向电压时，Cb明显随U的变化而变化，利用这一特性可以制成各种变容二极管。;2． 扩散电容 PN结正向导电时，多子扩散到对方区域后，在PN结边界上积累，并有一定的浓度分布(注入P 区的少子（电子）在P 区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，即在P 区有电子的积累。同理，在N区有空穴的积累)。 积累的电荷量随外加电压的变