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第一章 CMOS集成电路制造工艺基础 ;内容提纲;一、 集成电路材料;导体在制造工艺中的功能;绝缘体在制造工艺中的功能;半导体在制造工艺中的功能;二.基本的半导体制造工艺;★ 多晶硅 硅除了以单晶形式存在，还以多晶的形式存在。多晶硅在MOS工艺中可作为连接电阻，特别是作为栅极的工艺成为“硅栅工艺”，硅栅工艺突出的优点是具有“自对准”功能，即以多晶硅栅极作为制作源区、漏区的“掩膜”，使源-栅、漏-栅之间的交叠达到最小，从而改善器件的性能。 杂质可以控制多晶硅的电阻率变化。在多晶硅沉淀过程中加入定量的氧氮化合物可使其部分氧化，形成半绝缘层，可用于表面“钝化”，以保护芯片表面不受“污染”。;2. 氧化工艺 ★ SiO2薄膜在集成电路中的作用 氧化工艺在集成电路制作过程中需要反复进行多次，以形成表面的SiO2薄膜，其作用有： （1）作为杂质选择扩散区域的掩膜，对不需要掺杂的区域表面用SiO2薄膜覆盖起来，阻挡杂质对这些区域的扩散和注入。 （2）作为MOS器件绝缘栅的绝缘材料成为“栅氧”，“栅氧”厚度一般低于150A（1A=10-4m） （3）作为器件与器件，层与层之间的隔离材料，成为“场氧”，“场氧”的厚度要远远大于“栅氧”的厚度，一般超过10 000A。 （4）作为器件表面的保护膜，成为“钝化”。在硅的表面覆盖一层SiO2薄膜，可以使硅表面免受后续工艺可能带来的污染及划伤，也消除了环境对硅表面的直接影响，起到钝化表面，提高集成电路可靠性、稳定性和减小噪声的作用。 （5）作为制作集成电路的“介质”等。;2. 氧化工艺 ★ 氧化工艺的方法 氧化工艺主要有 热氧化法 和 化学气相淀积法。 （1）热氧化法：分为“干氧法”和“湿氧法” 干氧法：将硅片放入高温（700~1200℃）的氧化炉中通入氧气，在氧化炉中硅表面发生氧化，生产SiO2。干氧法形成的SiO2结构致密，缺陷密度小，排列均匀重复性好。但生长速度很慢，效率低。 湿氧法：氧化炉中不仅通入氧气，还有水汽存在，在湿氧环境中生成的SiO2薄层速度很快，但质地不好，在光刻时与光刻胶接触不良，容易产生浮胶。 因此，现代氧化工艺将两者结合起来，采用“干-湿-干”交替使用。 （2）化学气相淀积： 将一种或几种化学气体，以某种方式激活后在衬底表面发生化学反应，从而在衬底表面生成SiO2，主要有用“硅烷”和“氧”反应。;3. 掺杂工艺 掺杂工艺就是半导体基底的一定区域掺入一定浓度的杂质，形成不同类型的半导体层，来制作各种元器件。掺杂工艺是集成电路制造中最主要的基础工艺之一。掺杂工艺主要有“扩散工艺”和“离子注入工艺”两种。 （1）扩散工艺 利用物质微粒总是从浓度高处向浓度低处作扩散运动的特性，实现掺杂目的的工艺为扩散工艺。在800~1200℃的高温扩散炉中，杂质原子从硅材料表面向材料内部扩散，一般施主杂质元素有磷P、砷As等，受主杂质元素有硼B、铟C等。为减小少数载流子的寿命，也可掺入少量的金。 ;3. 掺杂工艺 （1）离子注入 随着VLSI超细加工技术的发展，离子注入工艺已经成为半导体掺杂和隔离注入的主流工艺技术。 离子注入首先将杂质元素的原子离子化，使其成为带电的杂质离子，然后用电场加速使其有很高的能量，并用这些杂质离子直接轰击半导体基片，从而达到掺杂的目的。优点有： ☆ 掺杂可精确控制，横向扩散小，重复性好，可以制作精确的电阻，调节MOS管阈值电压。 ☆ 离子注入为室温工艺，只在修复硅晶格缺陷的“退火”过程才要求高温。 ☆ 可以通过SiO2薄层注入，因此在注入时和注入后，被掺杂的材料都不会暴露在污染物中而免受污染。而扩散工艺则必须将表面的二氧化硅或氮化硅薄层去掉。 离子注入工艺可以实现大面积薄而均匀的掺杂；当要求高浓度掺杂或结深很深掺杂时，一般采用扩散技术。 ;4. 掩模（mask）的制版工艺 集成电路是在硅片上制作各种管子，电阻、电容，并将它们连成一个电路整体。将各种元器件的版图转换到硅片上，这就相当于印刷技术或照相技术，首先需要制造许多掩膜版（相当于照相底版）。制版的精度直接影响着芯片的质量。 一个光学掩模通常是一层涂着特定图形的石英玻璃，一层掩