一种具有线性容温变化率的温度补偿型电容器介质及其制备方法1.docVIP

说明书摘要 PAGE  PAGE 0 1 100004 2010.2 一种具有线性容温变化率的温度补偿型电容器介质，以100重量份的钛酸钡为基材，添加有如下成分：铌镍化合物（NiNb2O6）1.45-12.5wt%；氧化锆5-20wt%；碳酸锰0-0.2wt%；稀土氧化物0.025-0.2mol%；Zn-B-Ba-Si玻璃3-10wt%。本发明主要通过改变NiNb2O6和氧化锆的添加量，来调整该电容器介质的介电常数以及其容量-温度的变化关系，使之具有线性关系，可用于温度补偿型电容器介质，制作成可用于脉冲功率条件下使用的MLCC介质。所制得的电容器介质具有低损耗、可中温烧结等有益效果。 权利要求书 PAGE 1 1 100001 2010.2 1、一种具有线性容温变化率的温度补偿型电容器介质，其特征在于：以100重量份的钛酸钡为基材，添加有如下成分： 铌镍化合物1.45-12.5wt%； 氧化锆5-20wt%； 碳酸锰0-0.2wt%； 稀土氧化物0.025-0.2mol%； Zn-B-Ba-Si??璃3-10wt%。 2、如权利要求1所述的一种具有线性容温变化率的温度补偿型电容器介质，其特征在于：所述铌镍化合物由摩尔比1：1的氧化铌和氧化亚镍制得。 3、如权利要求1所述的一种具有线性容温变化率的温度补偿型电容器介质，其特征在于：所述Zn-B-Ba-Si玻璃由如下重量份的成分制得：氧化锌42-53份；硼酸10-18份；二氧化硅12-24份；碳酸钡15-25份。 4、一种具有线性容温变化率的温度补偿型电容器介质的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： 步骤一，将氧化铌和氧化亚镍按摩尔比1：1进行配比，制备铌镍化合物； 步骤二，利用如下重量配比的组分制备Zn-B-Ba-Si玻璃粉：氧化锌42-53份；硼酸10-18份；二氧化硅12-24份；碳酸钡15-25份； 步骤三，以100重量份的钛酸钡为基材，添加有如下成分：铌镍化合物1.45-12.5wt%、氧化锆5-20wt%、碳酸锰0-0.2wt%、稀土氧化物0.025-0.2mol%、Zn-B-Ba-Si玻璃3-10wt%，用去离子水作为分散介质，球磨、烘干、粉碎即得即制得温度补偿型MLCC材料。 5、如权利要求4所述的一种具有线性容温变化率的温度补偿型电容器介质的制备方法，其特征在于：步骤三中钛酸钡进行如下处理：在1100-1150℃范围内煅烧处理1.5-2h。 6、如权利要求4所述的一种具有线性容温变化率的温度补偿型电容器介质的制备方法，其特征在于：步骤一中铌镍化合物制备方法如下：将氧化铌和氧化亚镍按照摩尔比1:1进行配比、称量、球磨混合、烘干，烘干后块状物破碎过40-80目标准筛并于850-1150℃煅烧1.5-2.5小时，获得铌镍化合物。 7、如权利要求4所述的一种具有线性容温变化率的温度补偿型电容器介质的制备方法，其特征在于：步骤二中Zn-B-Ba-Si玻璃粉的制备方法如下：按所述配比进行配比、称量、球磨混合，并于1200℃～1250℃熔融后水淬，磨细后烘干过325目标准筛，制得Zn-B-Ba-Si玻璃粉。 8、如权利要求4所述的一种具有线性容温变化率的温度补偿型电容器介质的制备方法，其特征在于：步骤三中采用2-5mm的钇安定锆球作磨介，研磨6-14h，烘干后过80目标准筛，加入5～6.5%石蜡做粘结剂共同烘焙造粒，再次过80目标准筛。 9、如权利要求4所述的一种具有线性容温变化率的温度补偿型电容器介质的方法，其特征在于：步骤四中造粒后的粉料在8～10MPa下压制成圆片生坯，在450-550℃排有机物1 小时，然后用3小时升温至1100～1150℃，烧结2～3h，即制得所述温度补偿型电容器介质。 说明书 PAGE 4 1 100002 2010.2 一种具有线性容温变化率的温度补偿型电容器介质及其制备方法 技术领域 本发明涉及一种具有线性容温变化率的温度补偿型电容器介质及其制备方法。 背景技术 温度补偿型电容器介质，在-55～125℃范围内，其容量-温度的变化关系呈线性关系，而且具有很低的介质损耗，根据EIA-98标准，温度补偿型电容器或介质的品质因素Q≥1000，即要求介质损耗≤10-4。因此在高频、高压环境中，不易发热，抗冲击能力高，又可称为高频陶瓷电容，因此可用作脉冲功率MLCC在现代通讯小型化集成化发挥着重大的作用，对国防科技建设发展有着深远的意义。 目前典型的温度补偿型介质材料有钛酸镁锌-钛酸钙、锆酸镁锌-钛酸钙、钛酸钡-锆酸钙、钛酸钡-钛酸锶、锆酸钡-钛酸锶以及一些铌酸盐、钽酸盐、稀土的钛酸盐等等。但是这些材料为了能达到较高的体积密度、品质因素Q以及击穿电压，往往烧结温度较高