第7章半导体器件基础精编.pptVIP

第七章 半导体器件基础;7.1 半导体的基础知识;7.1.1 半导体的导电特性;二、 本征半导体;硅或锗的晶体结构;电子-空穴对的形成;在外电场作用下，电子的定向移动形成电流;在外电场作用下，空穴的定向移动形成电流;电子电流和空穴电流相等，并且它们之和为总的导电 电流。;3.由于热激发可产生电子和空穴，因此本征半导 体的导电特性和温度有关，对温度很敏感。;三、 杂质半导体;2、P型半导体;注意 杂质半导体中，多子的浓度取决于掺杂原子的浓度； 少子的浓度取决于温度。;一、PN结的形成;在交界面，由于两种载流子的浓度差，出 现多子的扩散运动。;在交界面，由于多子的扩散运动,经过复合, 出现空间电荷区（又称耗尽层） ;当多子的扩散与少子的漂移达到动态平衡（扩散电流等于漂移电流），形成PN结。;3. 当扩散运动与漂移运动达到动态平衡时，形成PN结。;二、PN结的单向导电性; ;U;7.2 半导体二极管;2、图形符号; 7.2.2 伏安特性;7.2.3 主要参数;U;U;t;【例2】画出二极管电路的输出波形（设UD=0.7V）;7.3 稳压管;稳压管的图形符号;③额定功耗PZM;稳压管的稳压条件;稳压管的应用;7.4 晶体管;B;B;2、 符号;7.4.2 工作原理;进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IB ，多数扩散到集电结。;集电结反向偏置。从基区扩散来的电子漂移进入集电结而被收集，形成IC。;B;直流(静态)电流放大倍数;2、饱和状态;7.4.3 特性曲线; 死区电压，硅管0.5V，锗管0.1V。;2、输出特性曲线;此区域中uCE?uBE，?iBiC ，称为饱和区。;此区域中 : iB=0，iC≈0，称为截止区。;输出特性三个区域的特点:;②当UBC;0.7V;【例2】测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。;解题思路;c;7.4.4 主要参数;2. 穿透电流ICEO;3.集电极最大允许电流ICM;iCuCE=PCM;本次课掌握内容