第二讲--半导体特性、PN结形成及特性精编.pptVIP

第二讲 半导体的特性、PN结的形成及特性;半导体的导电性能由其原子结构决定的。;硅原子结构;+4;+4; 电子和空穴产生过程动画演示 ;二、本征半导体 ;在外电场作用下;电子运动形成电子电流;+4;+4;+4;+4;+4;半导体导电机理动画演示;(1) 在半导体中有两种载流子;三、杂质半导体 ;1、N 型半导体; N型半导体的形成过程动画演示;1、N 型半导体;1、N 型半导体;2、P 型半导体; P型半导体的形成过程动画演示;2、 P 型半导体;3、杂质半导体说明;3、杂质半导体说明;为什么将自然界导电性能中等的半导体材料制成本征半导体，导电性能极差，又将其掺杂，改善导电性能？ 为什么半导体器件的温度稳定性差？是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素？;四、PN 结的形成及其单向导电性;四、PN 结的形成及其单向导电性;1、PN 结中载流子的运动;□ 空间电荷区产生内电场;1、PN 结中载流子的运动; PN结???成过程动画演示;;; PN结正偏动画演示;空间电荷区; PN结反偏动画演示;　　当PN 结正向偏置时，回路中将产生一个较大的正向电流， PN 结处于 导通状态； 当 PN 结反向偏置时，回路中反向电流非常小，几乎等于零， PN 结处于截止状态。 　　结论：PN 结具有单向导电性。;其中; 当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。;P; 当外加电压发生变化时，耗尽层的宽度要相应地随之改变，即PN结中存储的电荷量要随之变化，就像电容充放电一样。; 当外加正向电压 不同时，扩散区靠近PN结两侧堆积的少子的数量及浓度梯度也不同，这就相当电容的充放电过程。;扩散电容CD;本讲主要介绍了以下基本内容： PN结形成：扩散、复合、空间电荷区（耗尽层、势垒区、阻挡层、内建电场）、动态平衡 PN结的单向导电性：正偏导通、反偏截止 PN结的特性曲线： 正向特性：死区电压、导通电压 反向特性：反向饱和电流、温度影响大 击穿特性：电击穿（雪崩击穿、齐纳击穿）、热击穿 PN结的电容效应：势垒电容、扩散电容;课堂练习