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第6章 异质结和纳米结构6.;6.1.1 异质结的构成与类型;一、异质结的构成 1、晶格匹配;一些半导体对的晶格常数和晶格失;2、异质结材料几种半导体材料相;2、异质结材料定位于图中同一阴;3、应变异质结晶格失配会在异质;二、异质结的分类 反型异质结：;1、反型异质结 构成反型异质结;2、同型异质结构成同型异质结的;6.1.2 理想异质结的能带结;一、突变反型异质结的能带结构 ;突变pn异质结在形成之前和形成;p-n Ge-GaAs突变反型;ΔEcΔEvW1W2qVDx1;2、热平衡状态下的接触电势差和;接触电势差及势垒宽度;3 突变反型异质结的势垒电容突;二、突变同型异质结1、热平衡状;2、同型异质结的势垒高度和势阱;6.1.3 界面态对异质结能带;一、界面态密度异质结的界面态主;二、界面态的影响当界面态密度较;6.2 异质结特性及其应用 ;6.2.1 异质结的伏安特性;一、负反向势垒和正反向势垒根据;二、负反向势垒pn异质结的伏安;三、正反向势垒pn异质结的伏安;6.2.3 光伏特性与pn同;6.2.4 异质结的应用由于;1 单异质结激光器GaAs的;1 单异质结激光器p+-Al;2 双异质结(DH)激光器E;6.3 半导体量子阱和超晶格 ;6.4.1 半导体量子阱半导体;6.4.2 半导体超晶格半导
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