CH14半导体器件探析.ppt

《电工学》上册;《电工学》下册;电子技术; 1．第一代电子器件——电子管 1906年，福雷斯特（Lee De Fordst）等发明了电子管，是电子学发展史上第一个里程碑。用电子管可实现整流、稳压、检波、放大、振荡、变频、调制等多种功能电路。 电子管体积大、重量重、寿命短、耗电大。世界上第一台计算机用1.8万只电子管，占地170m2，重30t，耗电150kW。;2．第二代电子器件——晶体管 1948年，肖克利（W.Shckly）等发明了半导体晶体管，其性能明显优于电子管，从而大大促进了电子技术的应用与发展。晶体管的发明是电子学历史上的第二个里程碑。 尽管晶体管在体积、重量等方面性能优于电子管，但由成百上千只晶体管和其他元件组成的分立电路体积大、焊点多，可靠性差。;3．第三代电子器件——集成电路 1958年，基尔白等提出将管子、元件和线路集成封装在一起??设想，三年后，集成电路实现了商品化。 当前，单个芯片可集成器件成千上万个，例如，CPU芯片P6内部就封装了550万只晶体管。集成电路的发展促进了电子学、特别是数字电路和微型计算机的发展，人类社会开始迈进信息时代。;第十四章 半导体器件;;半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：;14.1.2 本征半导体;提纯的硅材料可形成单晶——单晶硅;硅和锗的共价键结构;共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱，相当于绝缘体。;+4;2.本征半导体的导电机理;温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响本征半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。;14.1.3 杂质半导体;+4;二、P 型半导体;三、杂质半导体的示意表示法;;14.2.2 PN结的单向导电性;－;二、PN 结反向偏置;§14.3 半导体二极管;(1) 点接触型—;(c)平面型;二极管的分类; 14.3.2 二极管的伏安特性;二极管理论伏安特性曲线;OB段称为反向特性。这时二极管加反向电压，反向电流很小。;iD;型号命名规则;部分国产半导体高频二极管参数表;二极管的等效电路;(二）考虑正向压降的等效电路;（三）小信号模型（微变模型等效电路）;14.3.3 二极管的主要参数;3. 反向峰值电流 IRM;RL;例14.2：分析uR、uo的波形;例14.3 设图示电路中的二极管性能均为理想。试判断各电路中的二极管是导通还是截止，并求出A、B两点之间的电压ＵAB值。 ;解：判断电路中二极管导通的方法： ;对于图 b，在电路即将导通时，;§14.4 稳压二极管;;稳压二极管的参数;4、稳定电流IZ、最大稳定电流Izmax。 稳定电流IZ是稳压二极管工作时的参考电流。;稳压二极管的应用举例;负载电阻 。;uo;——方程2;例14.5 已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求图所示电路中UO1和UO2各为多少伏。;;B;B;本章只讨论NPN型晶体管的工作原理。;通过实验及测量结果，得：;(4). 要使晶体管起放大作用，发射结必须正向偏置、集电结必须反向偏置——具有放大作用的外部条件。;B;B;IB=IBE-ICBO?IBE;B;IC;一、输入特性;二、输出特性;IC(mA );IC(mA );输出特性三个区域的特点:;例14.6： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？;IC ICmax (=2mA) ， Q位于放大区。;USB =5V时:;例14.7：用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位如图所示，试判断这些晶体管的工作状态。;14.5.4 主要参数;例14.8：UCE=6V时：IB = 40 ?A时 IC =1.5 mA； IB = 60 ?A时 IC =2.3 mA。;2.集-基极反向截止电流ICBO;B;4.集电极最大电流ICM;6. 集电极最大允许功耗PCM;国家标准对半导体晶体管的命名如下: 3 D G 110 B ; ;思考题(P34 习题5.10和6.1);§ 14.6 光电器件;§ 14.6.1 发光二极管;§ 14.6