5第四章真空蒸发镀膜法研究.pptVIP

;第四章 真空蒸发镀膜法; 真空蒸发镀膜（简称真空蒸镀）是在真空室中，加热蒸发器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子从表面气化逸出，形成蒸气流，入射到衬底或基片表面，凝固形成固态薄膜的方法。;真空的环境要求严格，原因有三： 1、防止高温下因空气分子和蒸发源发生反应，生成化合物而使蒸发源劣化。 2、防止因蒸发物质的分子在镀膜室内与空气分子碰撞而阻碍蒸发分子直接到达基片表面，以及在途中生成化合物或者由于蒸发分子间的相互碰撞而到达基片前就凝聚等。 3、在基片上形成薄膜的过程中，防止空气分子作为杂质混入膜中或者在薄膜内形成化合物。;主要内容;第一节 真空蒸发原理;第一节 真空蒸发原理;第一节 真空蒸发原理;第一节 真空蒸发原理;第一节 真空蒸发原理;第一节 真空蒸发原理;第一节 真空蒸发原理;第一节 真空蒸发原理;2. 蒸发粒子的速度和能量;;4. 蒸发分子的平均自由程与碰撞几率; 为保证镀膜质量，在要求 时，源-基距 时，必须 。;第二节 蒸发源的蒸发特性及膜厚分布;第二节 蒸发源的蒸发特性及膜厚分布;第二节 蒸发源的蒸发特性及膜厚分布;第二节 蒸发源的蒸发特性及膜厚分布;第二节 蒸发源的蒸发特性及膜厚分布;第二节 蒸发源的蒸发特性及膜厚分布;第三节 蒸发源的类型;第三节 蒸发源的类型;第三节 蒸发源的类型;第三节 蒸发源的类型;第三节 蒸发源的类型;第三节 蒸发源的类型; 电子束加热原理;电子束蒸发源的优点：; 电子束蒸发源的结构;直型枪;1-发射体，2-阳极，3-电磁线圈，4-水冷坩埚，5-收集极，6-吸收极，7-电子轨迹，8-正离子轨迹，9-散射电子轨迹，10-等离子体;1）电子束偏转270度，避免了正离子对膜的影响。 2）吸收极使二次电子对基板的轰击减少。 3）结构上采用了内藏式阴极，既防止极间放电，又避免了灯丝污染。 4）可通过调节磁场改变电子束的轰击位置。;原理：将镀料放在坩埚中，坩埚放在高频螺旋线圈的中央，使镀料在高频电磁场的感应下产生涡流损失而升温蒸发。;高频感应蒸发源的特点： 蒸发速率大，比电阻蒸发源大10倍左右； 蒸发源温度均匀稳定，不易产生飞溅； 蒸发材料是金属时，从内部加热； 蒸发源一次加料，无需送料机构，控温容易，热惰性小，操作简单。;工作原理：采用激光束作为蒸发材料的一种热源，让高能量的激光束透过真空式窗口，对蒸发材料加热蒸发，通过聚焦可使激光束功率密度提高到106w/cm2以上。;第四节 合金及化合物的蒸发;拉乌尔定律（Raoult’s Law）; 设 、 分别为A、B的质量， 、 为合金中的浓度，则;合金各组分的蒸发速率：;例题： 处于1527 ℃下的镍铬合金（Ni80%，Cr20%），在 ， 时，蒸发速率比为： ; 瞬时蒸发法; 双源或多源蒸发法;★ 化合物的蒸发;反应蒸发法 许多化合物在高温蒸发过程中会产生分解，例如直接蒸发A12O3、TiO2：等都会产生失氧，为此宜采用反应蒸发。 将活性气体导入真空室，并与蒸发源逸出的金属原子、低价化合物分子在基板表面淀积过程中发生化学反应，从而形成所需高价化合物薄膜。 ;第四节 合金及化合物的蒸发; 在反应蒸发中，蒸发原子或低价化合物分子与活性气体发生反应有三个可能的部位。; 三温度法 当把Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料置于坩埚内加热蒸发时，温度在沸点以上，半导体材料就会发生热分解，分馏出??分元素。由于Ⅴ族元素的蒸气压比Ⅲ族元素大得多，淀积在基板上的膜层会偏离化合物的化学计量比。所以发展了三温度蒸发法。 分别控制低蒸气压元素（ Ⅲ ）的蒸发温度TⅢ、高蒸气压元素（ Ⅴ ）的蒸发温度TⅤ和基板温度TS，一共三个温度，即三温度法。 由于相当与在高蒸气压元素气氛中蒸发低蒸气压元素，所以，类似于反应蒸发法。;分子束外延(MBE)：是新发展起来的外延制膜方法，也是一种特殊的真空镀膜工艺，可以看作是三温度法的改进。它是在超高真空条件下，将薄膜诸组分元素的分子束流，直接喷到衬底表面，从而在其上形成外延层的技术。其中未被基片捕获的分子，及时被真空系统抽走，保证到达衬底表面的总是新分子束。 其突出的优点是能生长极薄的单晶膜层，且能够精确控制膜厚、组分和掺杂。 适于制作微波、光电和多层结构器件，从而为集成光学和超大规模集成电路的发展提供了有效手段。;第四节 合金及化合物的蒸发——MBE ;;; MBE装置的结构;第四节 合金及化合物的蒸发——MBE ; MBE的特点;MBE的衬底温度低，