氧化钒及其在红外探测应用的答题.ppt

氧化钒材料及其在红外探测应用的研究;目录;摘要;国内外研究现状;国外： 美国Honeywell公司利用VO2为敏感红外线的薄膜材料，研制了320×240元室温工作的非制冷红外焦平面传感器，在20世纪90年代中期已经面市，被美国称为第三代红外传感器，开辟了红外技术在民用市场上的应用，目前每年以60%的市场增长率迅猛发展。加拿大国家光学研究院利用VO2和V2O5的半导体—金属态可逆转变，研制室温和高温应用的相变型光开关，美国纽约州先进传感技术和美国洛克威尔国际科学中心利用VO2和V2O3的金属—绝缘体在强激光作用下可逆转变，研制高速抗强激光防护材料，在10.6um激光作用下，消光比达到20dB。 此外，氧化钒系化合物在其他领域的应用研究也很活跃，例如作为变色材料，空间光调制器，光存储器，光信息处理器等。 ;;钒主要氧化物的性质比较;二氧化钒的结构;VO2在68℃附近发生由低温半导体态向高温金属态的转变，结构由单斜金红石型转变为四方金红石型。;金红石结构是 体心正交平行六面体;金红石结构：体心正交平行六面体，体心和顶角由V4+离子占据，每个V4+离子位于略微变形的正八面体的中心，被六个O2-离子所包围，钒原子明显地与一个氧原子较为接近，而与其它氧原子的距离较远。该结构中，V4+离子的配位数是6，O2-离子的配位数是3。每个原胞中包含4个O离子，2个V离子。最近邻的钒原子间的距离为287pm，钒原子中的电子为所有的金属原子所共有。因此，它是一种n型半导体。;单斜结构：体积是金红石结构的两倍，可以看作是两个金红石结构形变而来，但是在单斜结构中，最近邻的钒原子间的距离由287pm变为265pm，在沿着氧八面体和相邻两个八面体共边连接成长链的方向上形成3V-V，钒原子间距离按265pm和312pm的长度交替变化，每个钒原子的d电子都定域于这些V-V键上，结果造成了在沿c轴方向上VO2不再具有金属的导电性。;五氧化二钒的结构;VO2晶体和V2O5晶体的主要区别;氧化钒的制备工艺;1.溅射法;2.蒸发法;2.蒸发法;3.脉冲激光沉积工艺;3.脉冲激光沉积工艺;4.溶胶—凝胶法;4.溶胶—凝胶法;5.其他方法;影响氧化钒薄膜热电阻温度系数的因素;影响氧化钒薄膜热??阻温度系数的因素; 而对于多晶结构的氧化钒薄膜，TCR不仅与激活能有关，而且受薄膜中各氧化物组份的比例即氧缺位、晶粒间界，膜的致密程度以及应力等多种因素的影响。晶粒间界的存在在禁带中引入杂质能级，降低了激活能，使热电阻温度系数下降，氧缺位在禁带中引入受主能级，也导致了激活能下降，另外氧缺位在薄膜中引入多余电子，温度升高，电阻率升高，部分非小了氧化钒半导体相的负热电阻温度系数。