电子技术-半导体简介-11课题.ppt

;半导体简介;内容;第一章 揭秘半导体;砷化镓晶圆片;  1.2 半导体中的载流子; 在半导体中存在两种载流子，即导带中的电子和价带中的空穴。所谓空穴即价带中由于电子的移动而留下的空位。在电场的作用下，电子移动填充空穴，相当于电子与空穴相互交换位置，而正是因为它们不断地交换位置而产生电流。 掺杂、加热及光照产生的热激发、光激发都可以增加载流子的数目，从而使半导体的导电性大大增强。 ; 1.3 半导体的秘密; ; 1.4 半导体的特性及分类; （2）半导体导电能力与温度也有密切关系。当环境温度升高时，半导体导电能力就会显著增加；当环境温度下降时，半导体的导电能力就会显著下降，这种特性称为半导体的热敏性。热敏电阻就是利用半导体这种特性制成的。 （3） 半导体对光十分敏感，当有光照射在这些半导体上时，它们就像导体一样，导电能力很强；当没有光照射时，它们就像绝缘体一样不导电，这种特性称为“光敏性”，光电二级管、光电三极管和光敏电阻等，就是利用半导体的光敏特性制成的;负温度系数热敏电阻; 按照构成半导体物质的元素来分类： 半导体可分为元素半导体（由一种元素构成）和化合物半导体（由多种元素构成）。元素半导体有Si和Ge等第IV主族元素半导体，化合物半导体中通常的有GaAs、InP、GaN、SiC等半导体。 按照原子结构的排列规则分类：可分为单晶半导体、多晶半导体及非晶态半导体。 按照掺杂类型分类：半导体可分为本征半导体、P型半导体、N型半导体。当在本征半导体中掺入少量的第III主族原子或第V主族原子，使之取代晶格中原子的位置，便形成P型半导体或N型半导体。;SiN;第二章 丰富多彩的半导体材料;; 2.2 第二代半导体材料 砷化镓（GaAs）半导体材料，与传统的硅材料相比，具有很高的电子迁移率，及宽禁带材料，能更快地传导电流。由于它具有直接带隙及宽禁带等结构，它的光发射效率比硅锗等半导体材料高。广泛应用于光通信、卫星通讯等领域。 ; 磷化铟（InP）半导体材料，具有宽禁带结构，能够使通信卫星在太空具有极高速率传输数据的能力，具有电子极限漂移速度极高，耐辐射性能好，导热好的优点。与GaAs相比，它具有击穿电场、热导率、电子平均速度均高的特点。目前光通信器件主要采用磷化铟基材料，数码率很高、波长单色性好的磷化铟激光器和调制器、探测器极其模块已广泛应用于光网络，从而推动互联网数据信息传输量的高速发展，不断满足网络向更高速度和更宽带宽方向发展的要求。 ; 2.3 第三代半导体材料 以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料称为第三代半导体材料。 和第一代、第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有宽的禁带宽度，高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，因而更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常宽称为禁带半导体材料（禁带宽度大于2.2eV），也称为高温半导体材料。 ; 第三代半导体材料由于具有发光效率高、频率高等特点，从而在一些蓝、绿、紫光的发光二级管、半导体激光器等方面有着广泛的应用。目前较为成熟的是SiC和GaAs半导体材料，其中SiC技术最为成熟，而ZnO、金刚石和AlN等宽禁带半导体材料的研究尚起步阶段，相信随着研究的不断深入，其应用前景将十分广阔。 ;GaN晶圆片;2.4 有机半导体材料 利用有机发光材料制造的显示器，不仅变得既软又薄，还可以随意折叠、卷曲和放置，给人们的生活带来极大方便，且与当今时尚的液晶显示器（LCD）相比，它具有亮度高、节能、无视角问题、制造成本低等诸多优点。从发光机理上说，由于液晶自身不能发光，需要利用背光，而有机发光二级管（OLED）自身可以发光，这就注定它要比液晶显示器节省能源。与LED相比，OLED具有很多优势。例如，有机发光材料不需要制备成晶体，其生产和制造相对简单。它们可以制成极薄的单层，不同材料可以产生不同的颜色，只要把他们组合到基板上。就可以获得完美画质。 也许在不久的将来，大型彩电、电脑显示器都可以卷起来塞在房间的某个角落。在军事应用上，当军用地图打开后，不再是一张静态的图纸，而是活生生的战场实况。;可弯曲的OLED; 2.5 陶瓷半导体材料 它是一种重要的电子功能陶瓷材料，简称“半导瓷”。是由一种或多