模拟电路第四章半导体三极管及放大电路课题.ppt

;2 .NPN 型晶体管;3 PNP 型半导体;4-1-2 BJT的电流分配与放大作用;1、发射区向基区注入电子;2、电子在基区中的扩散与复合;3、集电区收集扩散过来的电子;集电极电流：IC=ICBO+InC 基极电流： IB=IB，-ICBO 发射极电流：IE=InC+IB， =(IC-ICBO)+(IB＋ICBO) =IC+IB 三极管各极电流的代数和为0， 满足基尔荷夫电流定律。;2 . 电流分配关系;?、?的关系;◆外部条件 发射结必须正向偏置，集电结必须反向偏置。 ;ΔvI的变化;例：?=0.98, RL=1K?, △vI=20mV, 设由于△vI引起的△iE=－1mA, △iC= ? △iE= －0.98mA △vO=－RL△iC =0.98V Av= △vO/ △vI=49;根据输入、输出信号在外端结的连接方式不同，三极管放大电路有三种组态：;4. 共射极连接方式;4-1-3 BJT 的特性曲线;vBC=0;（B）截止区 发射结反偏，集电结反偏。 NPN：vBE ＜0, vBC 0 （vBEVth ） 特点： iB≤0, iC≤ICEO iE≈iC ≈ iB ≈ 0;NPN PNP三极管的比较;例:已知NPN型硅三极管各极的电