(英文翻译)设计与仿真W波段宽带低噪声放大器.docVIP

设计与仿真W波段宽带低噪声放大器？王Yawei1，于Weihua1的 ??????????????????????????????????????????技术1Beijing研究所，北京100081，PR中国 本文介绍了一个四阶段的W波段宽带低噪声放大器（LNA）采用单片微波集成电路（MMIC）的设计。所述LNA使用CPW作为输入和输出端口，并具有采用GaAs MHEMT技术的低噪声系数。为了降低芯片尺寸和电路的复杂性，单独的偏置电压供给是用在这种设计。该LNA已达到增益超过19分贝在频率范围90?113GHz的噪声系数比3.2分贝低。 ？ 关键词 - LNA，D007IH，MHEMT ????????????????????????????????????????????????????????????????????????????由直流偏置电路，共我的方法的寄生参数。 INTRODUCTIONsimulation用于在AADS的MOM仿真工具势头。一个四阶段110GHz单片低噪声放大器STHE W波段技术被广泛应用于领域（LNA），提出了在本文中，它显示出噪声系数雷达，通信和电子对抗[1]，（NF）低于3.2分贝和19分贝的从低噪声放大器（LNA）的小信号增益具有广泛的军事和90GHz到113GHz。这是最低噪声LNA以往民间值作为位于该报告中相同频带的微波系统的关