09-1-0第九章半导体存储器-1答案.pptVIP

第九章 半导体存储器;1. 存储容量;2.存取速度(工作速度);三?存储器的分类;2. 按工艺分类;9.1 只读存储器 (ROM : Read Only Memory);(3)EPROM(可擦出?可编程ROM);2k+1 → 全译码;三?工作原理;存储容量 : 4字×4位=16字位;讨论: 当A1A0=00时;讨论: 当A1A0=01时;讨论: 当A1A0=10时;讨论: 当A1A0=11时;四?ROM的逻辑关系;“蓝点”代表输入、输出间应具有的逻辑关系。（“与”或者“或”）（在存储矩阵中，表示交叉处有二极管。）;五、ROM的应用; 采用有3位地址码、2位数据输出的8字节×2位ROM。将A、B、C 3个变量分别接至地址输入端A2A1A0。按逻辑函数要求存入相应数据,即可在数据输出端D0、D1得到F1和F2,其ROM 阵列如图9.1.9所示;例9.1.2 试用ROM设计一个8421 BCD码7段显示译码器电路，其真值表如表9.1.2所示。;a=m1+m4 ; ;a=m1+m4 ; ;2.字符发生器 ;六、固定ROM ;七、可编辑只读存储器(PROM) ;八、可改写可编程只读存储器(EPROM) ; 当G2加上正电压时,形成方向向下的电场,因而电子在P型衬底上部形成反型层,空穴被吸收,而形成沟道，T导通。; 在栅极和漏极上加几十伏(+25V)高压脉冲,在G1上就会积累了负电荷,使T的开启电压(VT≈VCC) , 升高至接近电源电压。;1）若G1上有负电荷时， 当G2=1时，由于 VT≈VCC ，则T×（截止），位线=VCC， 经输出三态缓冲器，存入的信息为“1”。;3) 擦除;2. E2PROM(电可改写的ROM);（2）工作原理 ;2）擦除;② 写入（写“0”）;九、快闪存储器(Flash Memory) ;2. 读;3. 擦除;作业: 9.2 ? 9.3、 9.4、9.7