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- 2016-07-29 发布于湖北
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第14章 半导体二极管和三极管;第14章 半导体二极管和三极管; 学会用工程观点分析问题,就是根据实际情况,对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似,以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。
对电路进行分析计算时,只要能满足技术指标,就不要过分追究精确的数值。
器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。; 半导体的导电特性; 半导体的导电特性;本征半导体; Si;本征半导体的导电机理;N型半导体和 P 型半导体;N型半导体和 P 型半导体; 1. 在杂质半导体中多子的数量与
(a. 掺杂浓度、b.温度)有关。;§PN结(PN junction);PN结;PN结的单向导电性;PN 结变宽;半导体二极管;阴极引线;二极管的分类;半导体二极管的型号;半导体二极管图片;伏安特性;;主要参数;二极管的单向导电性; 二极管电路??析举例 ; 如图由RC构成微分电路,当输入电压ui为矩形波时,试画出输出电压uo的波形。(设uc0 =U0);电路如图,求:UAB;两个二极管的阴极接在一起
取 B 点作参考点,断开二极管,分析二极管阳极和阴极的电位。;ui 8V,二极管导通,可看作短路 uo = 8V
ui 8V,二极管截止,可看作开路 uo = ui;稳压二极管;U(V);3. 主要参数;光电二极管; 发光二极管是一种新型冷光源。由于它体积小、用电省、工作电压低、寿命长、单色性好和响应速度快,因此,常用来作为显示器。 ;半导体三极管;半导体三极管;N型硅;基区:最薄,
掺杂浓度最低;电流分配和放大原理;2. 各电极电流关系及电流放大作用;3.三极管内部载流子的运动规律;用载流子在晶体管内部的运动规律来解释上述结论。;电流分配和放大原理;电流分配和放大原理;电流分配和放大原理;RB;1、发射区向基区扩散电子;3、集电区收集扩散电子;在晶体管中,不仅IC比IB大很多;当IB有微小变化时还会引起IC的较大变化。;3. 三极管内部载流子的运动规律;特性曲线; 发射极是输入回路、输出回路的公共端 ;输入特性曲线;1. 输入特性;输出特性曲线;2. 输出特性;IB=0;输出特性三个区域的特点:;例: ?=50, USC =12V,
RB =70k?, RC =6k?
当USB = -2V,2V,5V时,
晶体管的静态工作点Q位
于哪个区?;例: ?=50, USC =12V,
RB =70k?, RC =6k?
当USB = -2V,2V,5V时,
晶体管的静态工作点Q位
于哪个区?;USB =5V时:;三、主要参数;主要参数;说明:;例:在UCE= 6 V时, 在 Q1 点IB=40?A, IC=1.5mA;
在 Q2 点IB=60 ?A, IC=2.3mA。;2.集-基极反向截止电流 ICBO;4. 集电极最大允许电流 ICM;ICUCE=PCM;晶体管参数与温度的关系;本章小结
(1)半导体导电能力取决于其内部载流子的多少,半导体有电子和空穴两种载流子。本征半导体有热敏特性、光敏特性、掺杂特性。在本征半导体中掺入相应的杂质,便可制成P型半导体和N型半导体,它们内部都有空穴和电子两种载流子,其中多子是由掺杂产生的,少子是由本征激发产生的。
(2)PN结是构成各种半导体的基础,它具有单向导电性。当接正向偏置时,有较大的正向电流,正向电阻较小;而接反向偏置时,反向电流很小,反向电阻很大。
(3)半导体二极管的核心是一个PN结,它的特性与PN结基本相同。二极管的伏安特性是非线性的,所以是非线性器件。二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压和反向饱和电流。
;(4)稳压二极管是一种特殊二极管,利用在反向击穿状态下的恒压特性,常用它来构成简单的稳压电路。其他特殊二极管,如变容二极管、发光二极管、光敏二极管等均具有非线性的特点,它们均有不同于普通二极管的特殊用途。
(5)晶体三极管是由两个PN结构成的半导体器件,在集电结反偏,发射结正偏的外部条件下,晶体管的基极电流对集电极电流具有控制作用,即电流放大作用。晶体三极管有三种连接方式,广泛采用的是共发射极连接。它有三种工作状态,即截止状态、饱和状态和放大状态。三极管的三个极的电流关系是IE=IB+IC,在放大状态时,IC=?IB+ICEO≈?IB,这表明三极管是一种电流控制型器件,具有受控特性(指IC与IB的关系)和恒流特性(指IC和UCE的关系)。;一、两种半导体和两种载流子;三、两种半导体放大器件;放
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件;4. 特性;iC / mA;5. 参数
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