全光控制的单个表面等离子体共振纳米天线-铟锡氧化物.docxVIP

全光控制的单个表面等离子体共振纳米天线—铟锡氧化物 Martina Abb, Pablo Albella, Javier Aizpurua, and Otto L. Muskens 摘要：我们通过实验证明嵌入在铟锡氧化物中单一表面等离子体共振纳米天线的皮秒全光控制。我们确定一个皮秒相应的天线—ITO混合系统，这于在不导电的SiO2基底上瞬态漂白观察到的金天线是完全不同的。我们的实验结果可以由ITO的自由载流子非线性解释，这提高了等离子体诱导的热电子从金纳米天线注入到导电氧化物中。带有纳米尺寸表面等离子体能量转移机制的可调谐天线—ITO混合组合，在这里证明，开辟了一个新的超快器件的研究道路去产生纳米表面等离子体共振转换和控制。 关键词：主动的，表面等离子体共振，纳米天线，混合纳米结构，纳米光子学 纳米光子器件可以有效地集中光辐射到一个纳米大小体积中，这在许多应用领域集成和非线性光子学，辐射衰变工程，和量子信息处理备受关注。在表面等离子体共振中，超小的模式体积和高的局部场增强通过利用金属纳米结构的表面等离子体共振被实现。类似于无线电波天线，表面等离子体共振纳米天线已经被研制出来，这提供一个带有高效耦合远场辐射的高局部场增强。表面等离子体共振纳米天线的共振谱的主动控制是实现晶体管型纳米器件操纵光发射和传播的重要一步。这种主动的纳米表面等离子体共振设备为光学和电子学功能芯片集成提供支持，控制表面等离子体共振模式的各种方案被提出和改进，采用光，电，磁，热，或机械方法。然而传播的表面等离子体激元提供长的相互作用长度允许在中等强度的局部模式切换，或许可以从带有随着折射率的变化的较强局域场增强和高灵敏度得益于等离子模式的设计。采用电控的液态晶体，对于表面等离子体共振纳米天线已经实现大的调制深度。虽然液晶提供天线响应相当大的调谐， 但是对于许多应用程序的瞬时响应时间太慢了。此外，固态的实施将有利于集成片上的等离子设备。 在这，我们证明全光控制的等离子体模式的单个纳米天线采用纳米天线ITO混合的非线性响应。对于在近红外光谱中表面等离子体和变换光学应用透明导电氧化物最近被确定为有前途的材料。采用电压控制纳米尺度的空间电荷范围，已经证明铟锡氧化物折射率统一变化顺序超越了大多数表面等离子体共振频率。在较高的温度沉积下，通过Sn4+掺杂的浓度和引入氧空位可以改变ITO的自由载流子密度。表面等离子体共振频率与自由载流子密度成正比并且在近红外范围内频率约为~10μm载流子密度约为1021 cm3。在这项工作中，我们探讨ITO皮秒光激发作为一种手段局部调制自由载流子密度。特别是，我们研究了表面等离子体纳米天线的相互作用，这作为光敏处理ITO响应的局部源，与在反馈修正等离子体共振中ITO自由载流子非线性。我们表明，这种快速的能量转移机制导致了表面等离子体共振纳米天线偶极模式的一个相当大的调制。 金纳米天线的制造采用了在ITO镀膜玻璃基底上标准的电子束光刻技术。两种类型的商业ITO基底被使用：25nm厚的ITO层，电阻率为每平方70-100Ω（低导电性）；120nm厚的ITO层，电阻率每平方8-12Ω（高导电性）。纳米天线的制造采用一个25 nm的金层沉积随后甩胶。我们制作的纳米天线样品ITO在高和低的导电性，有与无覆盖ITO层。对于覆盖天线，25 nm厚的ITO层沉积到与相应的ITO基板电阻率匹配的薄片上。每平方20Ω的高导电性ITO通过散射到氧/氩等离子体中得到，氧/氩等离子体在490℃混合比例为1:136。每平方150Ω的低导电性ITO通过散射到氧/氩等离子体中得到，氧/氩等离子体在300℃混合比例为1:1。 对于线性和超快光谱的单个纳米天线，我们使用了一个镱光纤激光放大器 其重复率为40 MHz，光脉冲持续时间为4 ps。采用5 mm厚的KTP晶体泵浦光倍频波长为532 nm，并采用0.6 NA的非球面透镜使其集中到一个单一天线上通过基板侧面。作为探测光，在光子晶体光纤中我们使用了一个宽带超连续谱来产生。选择部分的宽带超连续光谱，波长范围在460-1800nm和集成光功率在2mW，采取负模式的双棱镜单色仪。探测光是由一个显微镜物镜聚焦到样品的正面（三丰100 近红外，0.5 NA）。图1a展示了相机拍摄了在样品的焦点，0.7μm半高宽探测光和泵浦光波长分别为900nm和2μm。最高泵浦光能量采用每180pJ脉冲，这与样品的积分通量5.7 mJ/cm2相一致。 采用空间调制显微镜法（SMM）的表面等离子体共振模式独特的纳米天线是有特点的。在激光焦点处采用锁定放大器通过检测的周期性调制粒子的位置SMM产生非常敏感的消光测量。利用二维SMM扫描定位纳米天线位置，如图1b所示。在SMM的响应中空间调制被选择垂直天线的长轴来降低有限天线尺寸的影响。当采用锁定