在WTe2中的大型非饱和磁阻.docxVIP

在WTe2中的大型非饱和磁阻磁阻效应是物体中的电阻响应磁场的现象。磁阻效应大的材料已经发现可以用于磁传感器，磁存储器，在室温下的硬盘驱动，它的罕见给许多基础低温方面的材料物理研究注入了新的活力。在这篇报告里我们观察在低温下极端大型磁电阻的的分层过渡金属硫族化合物WTe2，会产生4257倍的电阻4.5 k在14.7特斯拉的磁场，13000倍的电阻在0.53 k 60特斯拉的磁场。与其他材料相比,甚至没有饱和的磁电阻的值在应用领域也已经很高。基于这个结果,和薄膜的制备,纳米构基于巨大极性磁阻和设备，WTe2将代表磁阻效应一个崭新而重要的研究方向。 大型磁阻(磁阻效应)是一种罕见的属性,主要的磁性化合物。巨磁电(G磁阻效应)和巨大的磁阻(C磁阻效应)。发生在金属薄膜和锰例如,钙钛矿。相比之下,普通的磁阻,相对较弱的效应,通常发现在非磁性化合物和元素。磁性材料通常具有负磁阻(先生,典型报道的比例,被定义为[r(H)2 r(0)]/ r(0)和r(H)是应用磁电阻率)。积极的磁阻在金属、半导体和半金属。它通常是在金属百分之几的水平;半导体银硫属化合物的磁阻12000%,与 C磁阻效应材料比较显示。单载波-型半导体,先生的行为(11 mh2),m在哪里半导体的载流子迁移率,高机动可以显示相对较大的影响。半金属高纯铋元素,有一个非常大的积极的磁阻,石墨一样。在半金属,很高的磁阻是归因一个平衡电子