数电第三章逻辑门电路TTL.pptx

教学目标： 掌握门电路的基本概念；理解二极管门电路、 三极管反相器、CMOS门电路和TTL门电路的结构、工作原理； 第三章 逻辑门电路 重点： 门电路的基本概念；集成门电路的技术参数及其使用方法 难点： TTL门电路的结构、工作原理； 3.1 二极管、三极管和MOS管的开关等效电路 一、二极管开关等效电路 P4 （理想情况下二极管导通电压UD=0） 饱和区 截止区 放 大 区 1、三极管导通时 2、三极管工作饱和电压UCES＝0.3V≈0V 二、 三极管电路 3、三极管截止时iB≈0, iC≈0, 4、 三极管开关等效电路（理想情况下） § 3.2 TTL集成门电路 TTL与非门的电路组成 (Transistor- Transistor-Logic) 与分离元件电路相比，集成电路具有体积小、可靠性高、速度快的特点，而且输入、输出电平匹配，所以早已广泛采用。 P39 TTL与非门的内部结构 TTL与非门的内部结构 (1) 输入级 与门 输入级由多发射极管T1和电阻R1组成。其作用： ①从逻辑功能上看，是对输入变量A、B、C实现逻辑与. ②提高门电路工作速度。 (2) 中间级 中间级由T2、 R2和R3组成。T2的集电极和发射极输出两个相位相反的信号。 作用：使T3和T4、D轮流导通。 (3) 输出级 输出级由T3、T4、TD和R4组成，这种电路形式称为推拉式电路。 作用：提高门电路带负载能力。 一、电路组成 (1) 输入级 输入级由多发射极管T1和电阻R1组成。其作用： ①从逻辑功能上看，是对输入变量A、B、C 实现逻辑与. ②提高门电路工作速度。因为，当T2截止时， T1深度饱和，瞬间产生一个很大的电流ic1。而ic1 又恰好是T2的基极反向驱动电流，T1对T2的抽流作用， 使T2在饱和时积累的基区存贮电荷迅速消散， 从而加快了T2由饱和变为截止的速度。 (2) 中间级 中间级由T2、 R2和R3组成。T2的集电极和发射极输出两个相位相反的信号。 作用：使T3、T4和T5轮流导通。 (3) 输出级 输出级由T3、、T4、T5和R4、R5组成，这种电路形式称为推拉式电路。 作用：提高门电路带负载能力。因为，当T4截止时，T5饱和，允许输出端灌入较大负载电流。当T5截止时，T3、T4组成射极输出器，射极输出器的输出阻抗低，带负载能力强，负载拉电流大。 二、工作原理 1、任一输入为低电平（0.3V）时 输出为高电平： Vo=VOH≈VCC－VBE3－VBE4 = 5－0.7－0.7 = 3.6V。 1V 约5V V0=3.6V 截止 截止 导通 输入有低电平（“0”） 输出为高电平（“1”） T1特殊饱和 （因ic1=0） 2、输入全为高电平（3.6V）时 T2、T5 饱和,T1的基极电位被钳在 VB1= VBC1+ VBE2+ VBE5=0.7V+ 0.7V+ 0.7V =2.1V T2的VC2=VCES2+VBE5=0.3V+0.7V=1V,可以使T3导通，但T4不能导通。 输出为低电平:VO=VOL=VCE5≈0.3 V，? 2.1V ≈1V 饱和 饱和 截止 0.3V 输入全为高电平(“1”)， 输出为低电平(“0”)” 2、输入全为高电平（3.6V）时 RL iL 灌电流 1、电压传输特性 三、TTL与非门的特性和技术参数 VOL (0.3V) 传输特性曲线 VOL 阈值VT=1.4V 理想的传输特性 输出高电平 输出低电平 “0” （1）、输出高电平VOH、输出低电平VOL VOH?2.4V VOL ?0.4V 便认为合格。 典型值VOH=3.6V VOL ?0.3V 。 （2）、阈值电压VT ViVT时，认为Vi是低电平。 ViVT时，认为Vi是高电平。 VT=1.4V 2、主要参数 （2）关门电平VOFF和开门电平VON 由于器件制造的差异，输出高电平、输入低电平都略有差异，通常规定TTL与非门输出高电平 VOH=3V和输出低电平VOL=0.35V为额定逻辑高、低电平.，在保证输出为额定高电平（3V）的90%（2.7V）的条件下，允许的输入低电平的最大值，称为关门电平VOFF。通常VOFF≈1V,一般产品要求VOFF≥0.8 V。 在保证输出额定低电平(0.35V)的条件下，允许输入高电平的最小值，称为开门电平VON。通常VON ≈1.4V，一般产品要求VON ≤1.8 V。 （3） 噪声容限VNL、VNH 在实际应用中，由于外界干扰、电源波动等原因， 可能使输入电平Vi偏离规定值。为了保证电路可 靠工作，应对干扰的幅度有一定限制，称为噪声 容限。它是用来说明门电路抗干扰能力的