数逻(刘培植)-第02章-逻辑门电路C.ppt

数字电子与逻辑设计 计算机科学与技术系 陈 舵 第2章 逻辑门电路 第2章 逻辑门电路 2.1 晶体管的开关特性 2.2 晶体三极管反相器 2.3 TTL集成逻辑门 2.4 ECL逻辑门(自学) 2.5 I2L逻辑门电路(自学) 2.6 CMOS逻辑门 2.7 逻辑电平及逻辑电平转换 本章内容简介： 门：具有开关作用。 门电路：具有控制信号通过或不通过能力的电路。 分为两大类：双极型晶体管集成逻辑门电路单极型MOS管集成逻辑门电路 2.1 晶体管的开关特性 2.1.1 二极管的开关特性 2.1.2 三极管的开关特性 2.2.1 二极管的开关特性 一个理想开关具有这样的特性：①闭合时，开关两端的电压总为0，开关两端点间呈现的电阻也为0；②断开时，流过开关的电流总为0，开关两端点间的电阻为无穷大；③开关的接通或断开动作转换可以在瞬间完成。 2.2.1 二极管的开关特性 2.1.2双极型晶体三极管的开关特性 以NPN单管共射电路为例，分析三极管的工作状态。 基本工作状态分析 2.2.1 二极管的开关特性 在上述td、tr、ts和tf这四个时间参数中，ts是影响工作速度的主要因素，并且饱和越深, ts越大。 深度饱和虽然可以提高反相器的带负载能力，但降低工作速度，设计时应综合考虑。 第2章 逻辑门电路 2.1 晶体管的开关特性 2.2 晶体三极管反相器 2.3 TTL集成逻辑门 2.6 CMOS逻辑门 2.7 逻辑电平及逻辑电平转换 2.2 晶体三极管反相器 2.2.1 反相器的工作原理 2.2.2 反相器的负载能力 2.2.1 反相器的工作原理 1. 晶体管截止 2. 晶体管饱和 2. 晶体管饱和 结论 输入为低电平0V时，晶体管截止，输出高电平3.7V； 输入为高电平3V时，晶体管深饱和，输出低电平，近似为0.1V 电路完成反相器功能。 2.2 晶体三极管反相器 2.2.1 反相器的工作原理 2.2.2 反相器的负载能力 2.2.2 反相器的负载能力 1. 灌电流负载负载 (1) 输出为低电平(灌电流) (2) 输出为高电平(灌电流) (2)输出为高电平(灌电流) 此时晶体管VT截止，晶体管Ic≈0。钳位二极管VD导通，VD=0.7 V，输出为高电平，约为3.7 V。 由于负载RL的一端接电源，所以，无论RL是什么取值，都不会使输出高电平变低。因此，输出高电平时对ILI一般没有要求。只是注意不要使钳位二极管VD的电流过大而损坏即可。 灌电流负载总结 由以上分析可知，计算灌电流负载能力，主要考虑输出为低电平的状态。 要提高反相器带灌电流负载能力，关键在于加大晶体管的饱和深度(增加IB，增大RC，减小IRC )，饱和越深，带负载能力越强。但饱和越深，工作速度越慢。 2. 拉电流负载 (1)输出为低电平 (拉电流) 此时晶体管VT饱和，输出低电平在0V左右，负载RL两端的电压近似为0 V 。 RL的变化不会使反相器输出为低电平时的逻辑关系发生变化(不会使低电平升高)，所以带有拉电流负载的反相器在输出低电平时对负载电流ILO的大小没有要求。 (2) 输出为高电平(拉电流) (2) 输出为高电平(拉电流) 拉电流负载总结 由以上分析可知，计算灌电流负载能力，主要考虑输出为高电平的状态。 要提高反相器带拉电流负载能力，关键在于减小RC，提高IRC。 讨论 例题 第1章 数字技术基础 2.1 晶体管的开关特性 2.2 晶体三极管反相器 2.3 TTL集成逻辑门 2.4 ECL逻辑门(自学) 2.5 I2逻辑门电路(自学) 2.6 CMOS逻辑门 2.7 逻辑电平及逻辑电平转换 简介 通用逻辑门：TTL、CMOS。 TTL分为54系列(工品)和74系列(民品)，二者主要差别为: 54、74系列的工作温度范围分别为-55～+125℃和0～70℃；供电电源电压范围分别为5V (±10%)，和5V(士5%) 74系列分细分为标准、高速、肖特基、低功耗肖特基、先进肖特基、先进低功耗肖特基和快速TTL等子类型。 2.3 TTL集成逻辑门 2.3.1 标准TTL与非门的电路结构 2.3.2 TTL与非门的特性及参数 2.3.3 或非、与或非及异或门 2.3.4 集电极开路门电路(OC门) 2.3.5 三态门 2.3.6 TTL改进系列门电路简介 2.3.7 TTL的选用及应注意的问题 1. 电路结构 工作原理小结: 2.3 TTL集成逻辑门 2.3.1 标准TTL与非门的电路结构 2.3.2 TTL与非门的特性及参数 2.3.3 或非、与或非及异