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竞答试题-公司工会一、填空题硅的密度是 2.33 /厘米3；硅的熔点是 1420 ℃；硅的沸点是 2355 ℃；硅的化学符号是 Si ；原子序列号 14 。单晶硅的晶向分别有 100 、 110 、 111 。ISO是_国际标准化__组织的英语简称。我公司目前推行ISO9001:2008__质量管理__体系。常见的单晶生长方法有两种，分别是 悬浮区熔法(FZ) 和 直拉法(CZ) 。硅片的厚度是由 槽距 、 线径 、 砂子粒径 决定的。N型是 电子 导电，P型是 空穴 导电。公司的体系文件分为三阶，其中一阶文件为 质量手册__，二阶文件为_程序文件_，三阶文件包括__管理文件_，作业指导书和_工艺文件_等。20世纪中期,线切割机是由前苏联 拉扎/view/1667578.htm林科夫妇 发明的。P型6.5寸硅片面积 154.8cm2，P型8寸硅片面积 239 cm2，N型6.3寸硅片面积 153.3 cm2。目前我公司现有的线切机的型号是 MWM442DM 、 PV800H 、DS264-4、PV500D、 PV500HD 、DW288 。单晶硅按晶体生长方法的不同，分为直拉法（CZ）、区熔法（FZ）和外延法。直拉法、区熔法生长单晶硅棒材，外延法生长单晶硅薄膜。直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。外延片主要用于集成电路领域。2002年环欧公司成功拉制出中国第一颗Φ6英寸区熔硅单晶，2011年成功拉制出中国第一颗Φ8英寸区熔硅单晶并形成自主知识产权。拉制N型单晶所掺合金为P-Si合金，拉制P型单晶所掺合金为B-Si合金。内蒙古中环光伏材料有限公司成立于2009年3月10日，由天津市环欧半导体材料技术有限公司和上海航天汽车机电股份有限公司共同投资组建，项目共分为 四期 ，建成后为年产能800-1000MW的太阳能单晶硅锭、硅片生产基地。切割液的粘度是碳化硅微粉悬浮的重要保证。由于在整线切割过程中，碳化硅微粉是悬浮在切割液上而通过钢线进行切割的，所以切割液主要起悬浮和冷却的作用。直拉硅单晶的氧杂质在低温热处理时，会产生施主效应，使得N型硅晶体的电阻率下降，P型硅晶体的电阻率上升。施主效应严重时，能使P型硅晶体转化为N型，这就是氧的施主效应。氧的施主效应可以分为两种情况，有不同的性质，一种是在350～500℃左右温度范围生成的，称为热施主；一种是在550～800℃左右温度范围形成的，称为新施主。目前晶片制造一部有9个生产工序，分别是：切断、线切方、砂浆房、滚磨、粘棒、线切442、PV800、脱胶、清洗。5W2H分析法叫做七何分析法或者是5W2H法。5W指What、Who 、When、Where、Why，2H指How、How much。PDCA循环又叫戴明环，是美国质量管理专家戴明博士提出的，它是全面质量管理所应遵循的科学程序。全面质量管理活动的全部过程，就是质量计划的制订和组织实现的过程，这个过程就是按照PDCA循环，不停顿地周而复始地运转的。Statistical Process Control的缩写S P C表示的含义分别为：Statistical: 用统计方法通过样本数据监控和分析过程的变化；Process : 分解确保质量的要素，理解管理计划的必要性，确保树立管理计划能有效实施；Control:早期预报Process的变化，具备在最终Output出现前能纠正问题的时间。QF-1250切割6.5寸单晶有 52 个导轮。MWM442DM共有滑轮 17 个，PV800H共有滑轮 12 个， DS264-4共有滑轮 6 个。热熔胶的熔点大约在什么范围__C__。A 40-60℃ B 70-90℃ C 100-120℃ D 130-150℃WSK011A型数控单/多晶硅专用平面磨床现在磨削单晶所使用的砂轮分别是 1000目 、200-230目。外圆手感不良是由以下什么原因造成的（ ABC ）。 A：砂轮不平 B: 导轨有间隙 C:主轴有间隙 NTC442机台使用的玻璃板长度为 325 mm。美国蓝胶A胶的 型号为 1339A ，B胶的型号为 3939B 。无水乙醇（酒精）的化学分子式是 C2H60 。粘棒房的温度要求是 25±5℃ 、 湿度要求是 20%—70%Rh 。脱胶机脱胶过程中是否使用纯水 否 新带锯时的转速设置为 750r ，张力为 280N ，进给速度 20mm/min ，切割 10刀之后，调整为正常速度。（以切割Φ6.5″单晶参数为基准）。数控金刚石带锯床型号是 GK5