金属-氧化物-半导体绝缘栅型场效应管讲述.pptVIP

上页 下页 返回 模拟电子技术基础 4.3 金属-氧化物-半导体绝缘栅型场效应管 (Metal-Oxide-Semiconductor type FET) N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 MOSFET 耗尽型 增强型 类别 增强型： 没有导电沟道， 耗尽型： 存在导电沟道， 4.3.1 N沟道增强型MOSFET g s d N+ N+ SiO2保护层 Al b P 结构示意图 1. 结构 结构与符号 P 型衬底 (掺杂浓度低) N+ N+ 用扩散的方法 制作两个 N 区 在硅片表面生一层薄 SiO2 绝缘层 S D 用金属铝引出 源极 S 和漏极 D G 在绝缘层上喷金属铝引出栅极 G B 耗 尽 层 S — 源极 Source G — 栅极 Gate D — 漏极 Drain S G D 衬底 由于栅极与源极、漏极均无电接 触，故称绝缘栅极，N沟道增强符 号，箭头方向表示由P指向N。 2. 工作原理 电路连接图 P N+ s g d N+ – + + – (1) vGS =0 , vDS≠0 此时不管vDS极性如何，源极和漏极之间始终有一个PN结反偏，iD=0 P N+ s g N+ iD=0 d – + + – 漏极和衬底间PN结反偏