(更新版)题目11片式电阻主要失效模式与失效机理要点.pptVIP

片式电阻的主要失效模式 及失效机理 片式电阻 片式电阻，全称：厚膜片式固定电阻器，也称为贴片电阻、晶片电阻、片状电阻，简称：片阻。 分类：常规系列、超低阻系列、超高阻系列、高精度系列、功率型系列以及厚膜片式网络电阻器系列（片式排阻）等。 片式电阻 常见失效模式与失效机理 开路：电阻膜烧毁或大面积脱落，基体断裂，引线帽与电阻体脱落。 阻值漂移超规范：电阻膜有缺陷或退化，基体有可动钠离子，保护涂层不良。 引线断裂：电阻体焊接工艺缺陷，焊点污染，引线机械应力损伤。 短路：银离子迁移，电晕放电。 图1 电阻膜被腐蚀开路? 图2 阻值漂移超规范 失效模式 图3 面电极有断裂空洞? 失效机理分析 导电材料的结构变化 薄膜片式电阻的导电膜层一般用气相淀积方法获得，在一定程度上存在无定型结构。按热力学观点，无定型结构均有结晶化趋势。在工作条件或环境条件下，导电膜中的无定型结构均以一定的速度趋向结晶化，也即导电材料内部趋于致密化，常会引起电阻值的下降。 图4 薄膜片式电阻 结晶化速度随温度升高而加快。电阻膜在制备过程中会承受机械应力，使其内部结构发生畸变，膜层越薄，应力影响越显著。一般可采用热处理方法消除内部应力，残余内应力则可能在长时间使用中逐步消除，电阻阻值则可能因此发生变化。 结晶化过程和内应力消除过程均随时间推移而减缓，但不可能在使用期间终止。可以认为电阻在工作期间这两个过程近似恒定的速度进行。与它们有关的阻值变化约占原阻值的千分之几。 失效机理分析 气体吸附与解吸 膜式电阻的电阻膜在晶粒边界上，或导电颗粒和粘结剂部分，总可能吸附非常少量的气体，它们构成了晶粒之间的中间层，阻碍了导电颗粒之间的接触，从而明显影响阻值。 合成膜片式电阻在常压下制成，在真空或低压工作时，将解吸部分附气体，改善了导电颗粒之间的接触，使阻值下降。同样，在真空中制成的热分解碳膜电阻直接在正常环境条件下工作时，因气压升高而吸附部分气体，使电阻值增大。如果将未刻的半成品预置在常压下适当时间，则会提高电阻成品阻值稳定性。 温度和气压是影响气体吸附与解吸的主要环境因素。对于物理吸附，降温可增加平衡吸附量，升温则反之。由于气体吸附与解吸发生在电阻体的表面，所以对膜式电阻的影响较为显著，阻值变化可达1% -- 2% 。 失效机理分析 氧化是长期起作用的因素 氧化过程是由电阻体表面开始，逐步向内部深入。除了贵金属与合金薄膜电阻外，其他材料的电阻体均会受到空气中氧的影响。氧化的结果是阻值增大。电阻膜层越薄，氧化影响就越明显。 防止氧化的根本措施是密封（金属、陶瓷、玻璃等无机材料）。采用有机材料（塑料、树脂等）涂覆或灌封，不能完全防止保护层透湿和透气，虽能起到延缓氧化或吸附气体的作用，但也会带来与有机保护层有关的新的老化因素。 失效机理分析 有机保护层的影响 有机保护形成过程中，放出缩聚作用的挥发物或溶剂蒸汽。热处理过程使部分挥发物扩散到电阻体中，引起阻值上升。此过程可持续1 – 2年，但显著影响阻值的时间约为2 – 8个月，为了保证成品的阻值稳定性，把产品在库房中搁置一段时间再出厂时比较适宜的。 机械损伤 电阻的可靠很大程度上取决于其机械性能。电阻体、引线帽等均应具有足够的机械强度，基体缺陷、引线帽损坏或引线断裂均可导致电阻失效。 失效机理分析 （1）尽量小的形、位偏差 尺寸细小后，尽管偏差量很小，但由它引起的相对误差会较大，会使电阻值增减量惊人。所以，在设计、制造中要重视外形和位置的精准性。 （2）高机械强度 片式电阻必须能安装过程中对其造成的机械应力，电路板的挠曲还会使其承受附加应力，所以要求有足够的机械强度。 （3）耐受焊接热 元器件要通过焊接实现电路连接和机械支撑，焊接采用的再流焊和波峰焊的焊接温度分别被控制在240℃和260℃以上，作用时间约10s，电阻元件待焊接端接受焊接时被加热至焊接温度。在这一过程中，片式电阻的可焊性应不变坏，构成材料不发生不可逆性能变化等。 片式电阻使用要求 （4）良好的抗热震（热冲击）性---热膨胀系数（CTE）间的匹配 抗震是指急速的升温或降温，即升、降温过程短、变化快的温度突变过程，会形成电阻内部、电阻和其他部件间产生很大的冲击应力。片式电阻多为无引线结构，焊端导热途径短，引起的热应力、热应力突变和破坏都会加剧。 （5）低发热、高导热、快散热 表面安装电路板的组装密度很高，众多元器件产生的热量又会由于元器件的阻挡，难于通过对流向外界散发。所以，片式电阻产生的热量应尽量少，而且又能快速传递并向环境散发；焊接过程中焊接部位的高热也要求快速、均匀传递。 （6）