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§2-1 低介装置瓷的基本知识 §2-2 典型低介装置瓷 §2-3 低温共烧陶瓷 作业 1、电介质材料与金属材料导热机制的区别？ 2、高导热晶体应具备哪些特点？ 3、光散射因子有哪些？ 第6章 Internet应用基础 § 2-2 典型低介装置瓷 § 2-2-3 高热导率陶瓷基片 1、基片应具有的机电性能 2、电介质导热机制 3、高热导率晶体的结构特征 4、高导热陶瓷材料特征比较 5、多芯片组装-多层基片 第6章 Internet应用基础 § 2-2 典型低介装置瓷 1、基片应具有的机电性能 ①高热导率，低膨胀系数，高绝缘电阻和抗电强度，低介电常数和低的介质损耗。 ②机械性能优良，易机械加工 ③表面平滑度好，气孔率小，微晶化 ④规模生产具可行性，适应金属化、成本低 第6章 Internet应用基础 § 2-2 典型低介装置瓷 2、电介质导热机制 金属导热的主要机制是通过大量质量很轻的自由电子的运动来迅速实现热量的交换，因而具有较大的热导率，但不适合制作IC基片（导电性）。 第6章 Internet应用基础 § 2-2 典型低介装置瓷 陶瓷是绝缘体，没有自由电子，其热传导机理是由晶格振动的格波来实现的，根据量子理论，晶格波或热波可以作为声子的运动来描述，即热波既具有波动性，又具有粒子性。通过声子间的相互碰撞，高密度区的声子向低密度区扩散，声子的扩散同时伴随着热的传递。 T1 高温端 T2 低温端 声子热传导（类似于气体） 第6章 Internet应用基础 § 2-2 典型低介装置瓷 陶瓷的热传导公式： K-热导率，C-声子的热容，V-声子的速度，l-声子的平均自由程，v-声子的振动频率。 声子的散射机制：声子的平均自由程除受到格波间的耦合作用外（声子间的散射），还受到材料中的各种缺陷、杂质以及样品边界（表面、晶界）的影响。 第6章 Internet应用基础 § 2-2 典型低介装置瓷 3、高导热晶体的结构特征 共价键很强的晶体； 结构单元种类较少，原子量或平均原子量均较低； 不是层状结构； 第6章 Internet应用基础 § 2-2 典型低介装置瓷 高热导率晶体都是由原子量较低的元素构成的共价键或共价键很强的单质晶体或二元化合物。 此类非金属晶体有：金刚石（昂贵）、石墨（电子电导）、 立方BN（昂贵）、SiC（难烧结，需热压）、 BP（对杂质敏感）、 BeO、AlN。 第6章 Internet应用基础 § 2-2 典型低介装置瓷 4、高导热陶瓷材料特征比较 第6章 Internet应用基础 § 2-2 典型低介装置瓷 (1) 氧化铍瓷 1012 绝缘电阻率/Ω?m 0.005 介电损耗 6.5~7.5 介电常数 195 抗弯强度/(MN/m2) 7.2 热膨胀系数/(10-6 /℃) 310 热导率/(W/m?℃) 2.9 密度/(g/cm3) 指标 性能 关键：降低烧结温度 添加剂：MgO、Al2O3 问题：加入添加剂会使热导率降低 Be-O共价键较强 平均原子量仅12 第6章 Internet应用基础 § 2-2 典型低介装置瓷 0.06wt% 0.08wt% 0.1wt% 0.4wt% 0.8wt% 1.0wt% 不同MgO掺杂量的BeO陶瓷SEM 添加MgO的氧化铍陶瓷样品都很致密，几乎看不到气孔。微量的MgO掺杂就有比较好的助烧效果，但晶粒均匀性较差。 第6章 Internet应用基础 § 2-2 典型低介装置瓷 0.2wt% 0.4wt% 0.6wt% 0.8wt% 1.0wt% Al2O3掺杂的陶瓷样品的晶粒成条片状，出现生长台阶， 有细小的针状条纹，局部存在气孔，结构不是很致密。 不同Al2O3掺杂量的BeO陶瓷SEM § 2-2 典型低介装置瓷 0.05 MgO 0.45 Al2O3（1:9） 0.10 MgO 0.40 Al2O3（2:8） 0.15 MgO 0.35 Al2O3（3:7） 0.30 MgO 0.20 Al2O3（6:4） 不同MgO、 Al2O3掺杂量的BeO陶瓷SEM 第6章 Internet应用基础 § 2-2 典型低介装置瓷 (2) 氮化铝瓷 5×1011 绝缘电阻率/Ω?m 5×10-4 介电损耗 8.8 介电常数(1MHz) 500 抗弯强度/(MPa) 3.5 热膨胀系数/(10-6 /℃) 可达280 热导率/(W/m?℃) 指标 性能 Al-N共价键强 平均原子量20.49 热导率高 热膨胀系数与Si接近 3～3.8 第6章 In