科学基础-4课题.ppt

第四章 晶体缺陷 4.1、点缺陷 4.2、线缺陷-位错的基本概念 4.3、线缺陷-位错的能量及交互作用 4.4、面缺陷-晶体中的界面 概 述 晶体中的缺陷——实际晶体中与理想的点阵结构发生偏差的区域. 晶体缺陷(crystal defect; crystalline imperfection) 根据缺陷的空间几何图像，将晶体缺陷分为： 点缺陷(point defect)：特征是三维空间的各个方面上尺寸都很小，尺寸范围约为一个或几个原子尺度，又称零维缺陷，包括空位(vacancy)、间隙原子(interstitial atom)、杂质(impurity)和溶质原子(solute atom)。 线缺陷(linear defect)：特征是在两个方向上尺寸很小,另外一个方面上很大，又称一维缺陷，如各类位错(dislocation)。 面缺陷(planar defect)：特征是在一个方面上尺寸很小,另外两个方面上很大，又称二维缺陷，包括表面(surface)、晶界(grain boundary)、亚晶界(sub-grain boundary)、相界(phase boundary)、孪晶界(twin boundary)等。 肖脱基缺陷(Schottky defect)——脱位原子迁移到其它空位、晶界或表面——仅形成空位(vacancy) ——自身原子产生的点缺陷 一、点缺陷的类型 4.1、 点缺陷 弗兰克缺陷(Frenkel defect)——原子迁移到间隙中—形成空位-间隙对 ——自身原子产生的点缺陷——产生相对困难 杂质或溶质原子——间隙式（小原子）或置换式（与基体原子尺寸相当）——外来原子产生的点缺陷 点缺陷—破坏原子间作用力平衡— 晶格畸变/应变—晶体内能升高 肖脱基缺陷：指离子晶体中同时移去一对正负离子产生的空位对； 弗兰克尔缺陷：指正离子移入相邻的正离子位置而形成的空位和正离子对。 离子晶体的点缺陷类型 二、点缺陷的产生 局部点阵畸变 原子热振动 克服约束，迁移到新的位置 空位、间隙原子 点缺陷属于热力学平衡缺陷，一方面，点缺陷形成→导致晶体中点缺陷附近点阵畸变→导致体系自由能增加，或更确切地说体系内能增加；另一方面，点缺陷形成→使系统混乱度增加，即导致系统熵增加→使系统自由能降低。 ΔA=ΔU-TΔS ΔA=ΔU-TΔS 点缺陷平衡浓度公式：Ce=ne/N=Aexp(-u/kT)， ne是平衡点缺陷数目， N为晶体的原子总数， A是由振动熵决定的材料常数，约在1-10之间，计算时常取1； k是玻尔兹曼常数，值为8.62×10-5Ev/k或1.38×10-23J/K； u是点缺陷形成能。 例4.2 P95-例题 点缺陷的运动 点缺陷的运动方式： (1) 空位运动; (2) 间隙原子迁移 (3) 空位和间隙原子相遇，两缺陷同时消失 (4) 逸出晶体到表面，或移到晶界，点缺陷消失 当在一定的温度下，晶体中点缺陷的数目明显超过其平衡浓度时，这些点缺陷称为过饱和点缺陷. 它的产生方式有三种: 淬火：高温时晶体中的空位浓度很高，经过淬火后，空位来不及通过扩散达到平衡浓度，在低温下仍保持了较高的空位浓度 过饱和点缺陷(supersaturated point defect)的产生 冷加工：金属在室温下进行压力加工时，由于位错交割所形成的割阶发生攀移，从而使金属晶体内空位浓度增加 辐照：当金属受到高能粒子辐照时，晶体中的原子将被击出，挤入晶格间隙中，由于被击出的原子具有很高的能量，因此还有可能发生连锁作用，在晶体中形成大量的空位和间隙原子 点缺陷与扩散：晶体中点缺陷处于不断运动状态，间隙原子在晶体间隙中运动表现为间隙原子的扩散，空位在晶体中的运动表现为阵点原子在晶体中的逆向扩散。尽管常温下点缺陷运动引起的扩散效应较小，但高温下这种扩散效应十分可观。材料高温加工中的许多过程均与这种点缺陷运动有关，如高温下化学热处理、成分均匀化处理、时效硬化和烧结等过程。 点缺陷与材料行为 点缺陷与材料物性：一般情形下，点缺陷主要影响晶体的物理性能，如比体积、比热容、电阻率等。点缺陷对晶体电阻的影响最明显，这是由于点缺陷破坏了晶体中原子排列的规律性，使电子在传导时受到的散射增加，从而使电阻增加。 点缺陷与材料力学行为：点缺陷对材料力学性能有一定的影响，如过饱和点缺陷可提高金属的屈服强度，但就常温而言，平衡浓度的点缺陷对材料力学性能影响有限。 4.2 线缺陷-位错的基本概念 现象:晶体作刚性滑移所需的临界切应力值（1540MPa）与实际滑移测定的值（1MPa）相差巨大。疑问:理想晶体模型及其滑移方式? 位错概念提出(1934年，泰勒、波朗依和奥罗万三人几乎同时提)——位错被TEM证实(20世纪50年代