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第3章 存储器 3.1 存储器的概念、分类和要素 3.2 随机读写存储器（RAM） 3.3 只读存储器（ROM） 3.4 CPU与存储器的连接 半导体存储器 磁介质存储器（外存） 光存储器 双极型：存取速度快，但集成度低，功耗大、成本 高，一般用于大型计算机或高速微机中； MOS型 掩膜ROM 一次性可编程PROM 紫外线可擦除EPROM 电可擦除E2PROM 可编程只读存储器FLASH 读写 存储器 RAM 只读 存储器 ROM （按读写功能分类)（内存） （按器件原理分类） 静态SRAM 动态DRAM： 集成度高但存取速度较低， 一般用于需要较大容量的场合。 集成IRAM：将刷新电路集成在DRAM内 速度较快，集成度较低，功耗较高，一般用于对速度要求高、而容量不大的场合。 (按存储原理分类) 按 存 储介质分类 存储器的分类及性能指标 性能指标 存储器的职能就相当于计算机中各部分的“信息交换中心”和“数据仓库”。因此存储器的“速度”和“容量”便成为计算机系统性能的两项重要指标，也是推动存储器不断发展的两个主要因素。 1、存储容量 存储容量=单元数×数据位数 即字数×字长 通常以KB（210B）、MB （220B） 、GB （230B ）、TB （240B）为单位。 2、存取时间、存取周期 存取时间：CPU访问一次存储器所需的时间 存取周期：连续两次访问存储器所需最小间隔时间 3、可靠性 4、功耗 5、价格 存储器的存储容量表示与计算方法 存储器的存储容量等于： 单元数×每单元的位数 = 字数×字长 例如 6264 : 8K ×8 6116: 2K ×8 2164 : 64K ×1 3.2 随机读写存储器（RAM） 3.2.1 静态RAM 3.2.2 动态RAM 3.2.1 静态RAM 1．基本存储电路单元（六管静态存储电路） 图3-4 六管基本存储电路单元 基本存储电路简化图 由若干个存储单元可以组成一个芯片 由若干个芯片可扩展内存（存储体） N—所需芯片个数 为了减小体积，芯片内部通常采用矩阵式结构 2．SRAM芯片实例 典型的SRAM芯片有6116、6264、62256等。 图3-6 6116引脚 二、SRAM的典型芯片 存储容量为8K×8 28个引脚： 13根地址线A12～A0 8根数据线D7～D0 片选CS1、CS2 读写WE、OE 6 2 6 4 3.2.2 动态RAM  1．动态RAM的存储单元（单管动态存储电路） 图3-8 单管动态存储电路 存储容量为16K×1 16个引脚： 7根地址线A6～A0 1根数据输入线DIN 1根数据输出线DOUT 行地址选通RAS 列地址选通CAS 读写控制WE DRAM芯片2116 2、DRAM的典型芯片 典型DRAM芯片2116 2116A：16K×1 采用行地址和列地址来确定一个单元； 行列地址分时传送， 共用一组地址线； 地址线的数量仅 为同等容量SRAM 芯片的一半。 行地址 主要引线 RAS：行地址选通信号，用于锁存行地址； CAS：列地址选通信号。 地址总线上先送上行地址，后送上列地址，它们分别在RAS和CAS有效期间被锁存在地址锁存器中。 DIN： 数据输入 DOUT：数据输出 WE=0 数据写入 WE=1 数据读出 WE：写允许信号 三种操作：数据读出、数据写入、刷新。 3.3 只读存储器（ROM） 3.3.1 掩膜ROM 3.3.2 可编程只读ROM 3.3.3 可擦除可编程的ROM（EPROM） 3.3.4 电可擦可编程ROM(EEROM) 返回本章首页 3.3.1 掩膜ROM 1．MOS ROM电路 图3-11 单译码结构电路 ? ? ? ? ? 掩膜ROM是靠MOS管是否跨接来决定0、1的，当跨接时对应位信息就是0，当没有跨接时对应信息就是1。 3.3.2可编程只读ROM 允许一次编程，此后不可更改 PROM是靠存储单元中的熔丝是否熔断决定信息0、1的，当熔丝烧断时对应位信息就是0，当没有烧断时对应信息就1。 3.3.3 可擦除可编程的ROM（EPROM） 1．基本存储电路 图3-13 EPROM的结构示意图 2．EPROM实例 图3-14 2716引脚 返回