半导体物理Chapter5额外载流子试题.pptx

Chapterⅴ：非平衡载流子 平衡载流子：处于热平衡态的半导体，在一定温度下，载流子浓度是恒定的。本章用n0和p0分别表示平衡电子浓度和平衡空穴浓度。 非简并热平衡半导体判据： n0p0=NcNvexp(-Eg/k0T) =ni2 G0=R0 §5.1 非平衡载流子的注入与复合 一、平衡载流子和非平衡载流子 非平衡载流子： 对半导体施加外界作用，可使其处于非平衡状态，此时比平衡态多出来的载流子称为非平衡载流子，也称为过剩载流子。 n型半导体，电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子： n p 对于P型材料则相反。 外界作用通常为局部的 光，电，太空射线等 §5.1 非平衡载流子的注入与复合 §5.1 非平衡载流子的注入与复合 二、非平衡载流子的注入 G R Δn Δp 设想有一个N型半导体，用光照射，光子的能量大于禁带宽度时, 则可将该半导体价带的电子激发到导带，使导带比平衡时多出一部分电子Δn,价带比平衡时多出一部分空穴Δp。在这种情况下称为载流子的光注入。电子浓度和空穴浓度分别为: Δn 和Δp就是非平衡载流子浓度，Δn为非平衡多数载流子浓度，简称非平衡多子；Δp为非平衡少数载流子浓度，简称非平衡少子。 小注入：如果非平衡少数载流子的浓度远小于平衡多数载流子的 浓度，则称为小注入。 小注入判据： n型半导体Δp n0； p型半导体Δn p0 例如