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第二章 金属材料 2.3 晶体结构的缺陷 晶体在定义上有序是完美无缺的,但实际晶体中存在各式各样的缺陷(原子水平的,有的则是较大尺寸)。 材料在加工过程中得到能量产生空穴,或人为导入杂质,或人为制造合金时就会产生各类点缺陷,正常的晶体位置缺少原子就称为空穴。材料在结晶过程中,加热时或受到辐射作用时都会产生空穴。室温下空穴数目很少,但随着温度升高而增多。 线缺陷就是晶体中的位错。按严格的几何意义,位错是直径约5个原子的柱状缺陷,在晶体中以各种方向延伸,不一定是直线。位错在金属材料中大量存在,在自然生长的金属单晶中,每单位平方厘米的面积就有106个位错穿过。 2.4 金属材料的形变 晶粒的边界与相的边界构成面缺陷。晶粒生长时相遇的面就是晶粒的边界。尽管晶体的结构相同,但原子平面的取向可以不同,所以在晶体界面上的原子可能不属于任何一方。 (a) 小角晶粒边界 (b) 双层边界 3. 面缺陷 金属形变基础 塑性形变对金属材料组织和性能的影响 弹性形变 塑性形变 (均匀的) 断裂 加工硬化或冷变形强化 应力-应变曲线 金属形变基础 塑性形变对金属材料组织和性能的影响 (1)冷形变金属的组织 金属材料经塑性形变后,组织结构会发生明显的变化。除了每个晶粒内部出现大量的滑移带或孪晶带外,还会出现新的亚晶,各种结构缺陷(如位错、空位、间隙原子、层错)的浓度也升高。随着形变量的增加,原来的等轴晶粒将逐渐沿其变形方向伸长。当形变量很大时,晶界变得模糊不清,晶粒以难以分辨并沿材料流变伸展的方向呈现纤维状,称为纤维组织。这种纤维组织沿其形变方向强度、硬度增加,横向则不然,出现了性能的各向异性。 * * 上节回顾 原子间的键合 离子键 共价键 金属键 范德瓦尔斯键 氢键 晶体学基础 空间点阵 晶胞 晶系 布拉菲点阵 空间点阵与晶体结构 2.2.3 纯金属的晶体结构 金属晶体中的结合键为金属键,由于金属键无饱和性、无方向性,所以大多数金属晶体都是具有紧密排列、对称性高的简单晶体结构。 1. 三种典型的金属晶体结构 体心立方结构 (BCC) 面心立方结构(FCC) 密排六方结构 (HCP) 面心立方(FCC或A1)的晶胞与刚球模型 Al、Cu、Au、Ag、Pt、Pb、γ-Fe 体心立方(BCC或A2)晶胞与刚球模型 W、V、β-Ti、α-Fe、K 六方密堆积结构(hcp或A3) Mg、Zn、Cd、Ag、α-Be、α-Ti、 (1)晶胞中的原子数 (2)点阵常数与原子半径的关系 (3)配位数和致密度 (4)晶体结构中的间隙 顶点占1/8 棱占1/4 面心占1/2 体心占1 (1)晶胞中的原子数 面心立方结构: n=8×1/8+6×1/2=4 体心立方结构: n=8×1/8+1=3 密排六方结构: n=12×1/6+2×1/2+3=6 (2)点阵常数与原子半径的关系 点阵常数:晶胞的棱边长度(a,b,c) 不同金属可以有相同的点阵类型,但却具有各不相同的点阵常数,且随温度不同而变化 面心立方结构(a=b=c ) 体心立方结构(a=b=c ) 密排六方结构(a=b≠c ) 点阵常数用a和c来表示, 轴比:c/a=1.633,a=2r(原子看做等径钢球) 轴比:c/a≠1.633,(a2/3+c2/4)1/3=2r (3)配位数和致密度 定量地表示原子排列的紧密程度 配位数:晶体结构中任一原子周围最近邻且等 距离的原子数 致密度:晶体结构中原子体积占总体积的百分数。 晶胞中原子体积与晶胞体积之比值。 K=nv/V (4)晶体结构中的间隙 面心立方晶体结构的间隙 体心立方晶体结构的间隙 密排六方晶体结构的间隙 2. 金属的多晶型性 纯铁加热时的膨胀曲线 原子水平的缺陷对聚合物材料没有什么影响,但对金属或陶瓷的性质和性能就会有很大影响。缺陷的影响既有正面的也有负面的,利用和控制晶体中的缺陷,可以对材料进行增强,提高材料的流动加工性。有时甚至可以人为引入一些缺陷,赋予材料更高的导电性、更强的磁性等。所以“缺陷”并不一定是贬义的,它有许多值得利用的价值。 点缺陷:其特征是在三维空间的各个方向上尺寸都很小,尺寸范围约为一个或几个原子尺度,故称为零维缺陷,如:空穴、间隙原子、杂质或溶质原子等 线缺陷:其特征是在三维两个方向上尺寸都很小,另外一个方向上的尺度相对很长,故也称一维缺陷,如:位错 面缺陷:其特征是在三维空间一个方向上尺寸很小,另外两个方向上的尺寸很大,故称为二维缺陷,如:晶界、相界等 当有外来原子占据正常晶格点中间的间隙位置时,就构成间隙缺陷。虽然间隙原子比晶格上的原子小得多,但仍比间隙尺寸要大。结果使周围的原子受到挤压而变形。间隙原子有时
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