第2章电阻应变式传感器概念.ppt

振荡器：产生等幅正弦波提供电桥电压和相敏检波器参考电压； 放大器：将微弱的调幅波进行不失真地放大，提高给后续的处理或显示电路； 相敏检波器：放大后的调幅波必须用检波器和滤波器将其还原（解调）为被测应变信号波形。如果应变有拉应变和压应变，可通过相敏检波电路区分双相信号； 滤波器：为了还原被检测的信号用低通滤波器去掉高频保留低频应变信号。 2.9 压阻式传感器 是利用硅的压阻效应和微电子技术制成的一种传感器。 单晶硅材料在受到应力作用后，其电阻率发生明显变化，这种现象被称为压阻效应。 电阻相对变化量 2.9.1 基本工作原理 金属丝式电阻应变片与半导体式应变片的主要区别在于： 前者是利用金属导体形变引起电阻的变化，后者则是利用半导体电阻率变化引起电阻的变化。 式中，π——压阻系数；E——半导体材料的弹性模量。 用于制作半导体应变片的材料最常用的是硅和锗。在硅和锗中渗进硼、铝、镓、铟等杂质，可以形成P型半导体；如渗进磷、锑、砷等，则形成N型半导体。渗入杂质的浓度越大，半导体材料的电阻率就越低。 参数 硅（ρ=10Ω·㎝） 锗（ρ=10Ω·㎝） N P N P πl/10-7㎝2·N-1 压阻系数 [100] [110] [111] －102 －63 －8 ＋6.5 ＋71 ＋93 －3 －72 －95 ＋6 ＋47.5 ＋65 E l/107㎝-2·N 弹性模量 [100] [110] [111] 1.30 1.67 1.87 1.01 1.38 1.55 KB 灵敏系数 [100] [110] [111] －132 －104 －13 ＋10 ＋123 ＋177 －2 －97 －147 ＋5 ＋65 ＋103 由表可见，半导体是各向异性材料，其压阻系数与晶向密切相关。N型硅的[100]晶向、P型硅的[111]晶向、N型锗的[111]晶向、P型锗的[111]晶向，其灵敏系数比金属丝应变片要大几十倍。 2.9.2半导体应变片 优点：灵敏度高，动态响应好，可以不需要放大仪器，机械滞后小，易于微型化和集成化等； 缺点：温度稳定性差，测量较大应变时非线性严重。 半导体应变片 2.9.3压阻式传感器 将制作成一定形状的N型单晶硅作为弹性元件，选择一定的晶向，通过半导体扩散工艺在硅基底上扩散出4个P型电阻，构成惠斯通电桥的四个桥臂，从而实现了弹性元件与变换元件一体化。压阻式传感器主要用于测量压力、加速度和载荷等参数。在生物医学上可以测量血管内压、颅内压等。 1．压阻式压力传感器 2．压阻式加速度传感器 压阻式加速度传感器采用单晶硅做悬臂梁，在梁的根部扩散4个电阻，当悬臂梁自由端的质量块受到加速度作用时，悬臂梁产生应力，使4个半导体电阻产生变化。由4个电阻组成的电桥将产生于加速度成正比的电压输出。 2.9.4压阻式传感器输出信号调理 由MAXIM1450压阻式传感器专用芯片构成的测量电路 作业： 计算题：2-21，2-22 分析以下电桥，当R1=R2=R3=R4=R，且?R1=?R2时，输出电压U0 的表达式。 * * * 箔式应变片中的箔栅是金属箔通过光刻、腐蚀等工艺制成的。箔的材料多为电阻率高、热稳定性好的铜镍合金。箔式应变片与片基的接触面积大得多，散热条件较好，在长时间测量时的蠕变较小，一致性较好，适合于大批量生产。还可以对金属箔式应变片进行适当的热处理，使其线胀系数、电阻温度系数以及被粘贴的试件的线胀系数三者相互抵消，从而将温度影响减小到最小的程度，目前广泛用于各种应变式传感器中。 * 直流电桥的优点：高稳定度直流电源易于获得，电桥电路简单，精度高；缺点是：容易受工频干扰，产生零点漂移。 * 克希霍夫电流定律是确定电路中任意节点处各支路电流之间关系的定律，因此又称为节点电流定律，它的内容为：在任一瞬时，流向某一结点的电流之和恒等于由该结点流出的电流之和，即： 第二定律又称?克希霍夫电压定律，简记为KVL，是电场为位场时电位的单值性在集总参数电路上的体现，其物理背景是能量守恒公理。克希霍夫电压定律是确定电路中任意回路内各电压之间关系的定律，因此又称为回路电压定律，它的内容为：在任一瞬间，沿电路中的任一回路绕行一周，在该回路上电动势之和恒等于各电阻上的电压降之和，即： 克希霍夫图册 ??? * * * 高度(涉及精度和动态特性) 应力是力，单位是压强单位等应变是长度，单位是米等应变的原因是应力，应力的结果是应变。 * 弹性元件的高度对传感器的精度和动态特性有影响。 * * K:为应变灵敏系数。E：为材料弹性模量 * * 电阻应变仪主要由应变电桥、振荡器、放大器、相敏检波器、滤波器、指示或记录器、电源等部分组成。 * 与电阻应变式压力传感器要区分开来，压阻式传感器是半导体传感器。 * * 与电阻应