电子线路基础(梁明理)第1章研讨.pptVIP

第1章 基本半导体器件 1.4 场效应管——结型场效应管 特性曲线—输出特性曲线 1.可变电阻区—漏极附近不发生预夹断， uGS不变，iD随uDS升高而增大，电阻随uGS变化而改变，表现为由uGS控制的一个可变电阻。 2.恒流区(饱和区)—漏极附近发生了预夹断， uDS的增加导致漏极附近发生预夹断。此后，uDS增大导致耗尽层继续增长，抵消了uDS的增加，而iD基本不变。 （3）击穿区 当uDS升高到一定值时，PN结被反向击穿，iD突然增大，叫击穿区。 第1章 基本半导体器件 1.4 场效应管——结型场效应管 特性曲线—转移特性曲线 uGS=0时的漏极电流称为饱和漏极电流，ID(sat) uGS=0时，漏源间为两个背靠背的PN结，不导电。 N沟道增强型MOS管 第1章 基本半导体器件 1.4 场效应管——绝缘栅场效应管 uDS 不变，uGS增大，反型层（导电沟道）将变厚变长。当反型层将两个N区相接时，管子导通。 此时的uGS称为开启电压VGS(th) 。 第1章 基本半导体器件 1.4 场效应管——绝缘栅场效应管 第1章 基本半导体器件 1.4 场效应管——绝缘栅场效应管 1. UGS对导电沟道的控制情况： （1）当UGS=0时，在D、S为背靠背二极管，不存在导电沟道。 （2）当UGSUT，会感应出电子层。因此，UGS的变化会使反型层的宽度变化，达到控制ID的目的。 2．当UGS VGS(th)时，uDS对iD的影响。 （1）当uDS=0时，iD=0 （2）当uDS0时，iD随uDS的增大而增大 （3）当uDS增大至uGD= uGS- uDS= VGS(th)时,漏极一端出现夹断区，称为预夹断。 若uDS继续增大，则完全消耗在夹断区上，iD不再随uDS的增大而增大，仅决定于uGS。进入恒流区。 第1章 基本半导体器件 1.4 场效应管——绝缘栅场效应管 输入特性：vGS VGS(th) ，ID=0;vGS VGS(th) ，才有漏极电流iD。vGS控制iD。 第1章 基本半导体器件 1.4 场效应管——绝缘栅场效应管 可变电阻区：vDS很低，iD随vGS的增大直线上升。 改变vGS，直线斜率改变，阻值改变。 类似一只受vGS控制的可变电阻。 恒流区： 预夹断后，vGS为定值时，iD几乎不随vDS变化， vDS为定值时，iD随vGS的增大而增大， FET具有放大作用，且iD受vGS控制。 击穿区：当vDS增大到一定值以后，反偏的漏源之间的 PN结会发生击穿，漏极电流iD将急剧增大。 第1章 基本半导体器件 1.4 场效应管——绝缘栅场效应管 耗尽型管 加正离子 uGS=0时就存在导电沟道。 第1章 基本半导体器件 1.4 场效应管——绝缘栅场效应管 1)增强型MOS管 2)耗尽型MOS管 开启电压 第1章 基本半导体器件 1.4 场效应管——绝缘栅场效应管 第1章 基本半导体器件 1.4 场效应管——绝缘栅场效应管 1.直流参数 (1)开启电压VGS(TH)（增强型FET参数）:当vDS保持一定时，使增强型场效应管导通的最小电压。 (2)夹断电压VGS(off) （耗尽型FET参数）: 当vDS保持一定时，使耗尽型场效应管截止(夹断)的最小栅源电压。 (3)饱和漏极电流ID(sat)(耗尽型FET的参数) vGS=0时管子的漏极电流。 (4)直流输入电阻RGS：漏源短路情况下，栅源电压与栅极电流之比。 第1章 基本半导体器件 1.4 场效应管——场效应管的主要参数 2. 交流参数 (1)低频跨导gm：栅源电压vGS对漏极电流iD的控制能力。 第1章 基本半导体器件 1.4 场效应管——场效应管的主要参数 (2)极间电容：Cgs,Cgd,Cds 3. 极限参数 (1)漏源击穿电压V(BR)DS vDS增大过程中，使iD急剧增大时的漏源电压。 (6)栅源击穿电压V(BR)GS FET正常工作时的栅源电压的允许最大值。 (7)最大漏极电流IDM IDM为管子正常工作时允许的最大漏极电流。 (8)漏极最大允许耗散功率PDSM PD=IDVDS，为漏极允许耗散功率的最大值。 第1章 基本半导体器件 1.4 场效应管——场效应管的主要参数 第1章 基本半导体器件 习题课 解： 当Vi VR时，D1导通， VO= VR； 当Vi- VR时，D2导通， VO= -VR； 当-VR Vi VR时，D1、 D2均不导通， VO= V