复合材料的界面基础与界面理论研讨.ppt

复合材料的界面基础与界面理论研讨

A.共格孪晶界:界面上原子正好在两侧晶粒点阵位置上多通过形变而形成,界面两侧的点阵相同或相近,与堆垛层错密切相关,如fcc(111)面通常是ABCABCABCABC……,从某一层开始堆垛变成ABCABCACBACBA……则形成孪晶,CAC为堆垛层错界面 B. 非共格孪晶界:由许多位错构成 由相隔一定距离刃型位置垂直排列组成。 当已知晶体点阵常数,出位错蚀坑距离(位错间距离为D)后,可计算位向差 小角度晶界-非对称倾侧晶界 亚晶界--- 每个晶粒中存在的微小取向差的结构之间的交界。 大角度晶界中仍有周期性结构, 重合位置点阵模型 相邻晶粒点阵延伸互相穿插,两晶粒位向转动一特定角度后,两晶粒的阵点有部分处于重合位置,由重合的阵点构成重合位置点阵 大角晶界模型: 晶界力求与重合点阵密排面重合,即使有偏离,晶界会台阶化,使大部分面积分段与密排面重合,中间以小台阶相连。 如图,AB、CD与重合点阵密排面重合,中间BC小台阶相连。 晶界上非正常结点位置原子引发晶格畸变,使能量升高 以1727?C(2000K)为例:Si-C-O三元系统存在如下平衡关系式: C(S)?C(g) (1) SiC(S)?Si(l)+

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档