数字集成电路(中文)第五章研讨.pptVIP

EE141 EE141 第五章 CMOS反相器 Oct 15, 2011 The CMOS 反相器: 概貌 CMOS反相器的几个设计指标 成本：用复杂性和面积来表示 完整性和稳定性：由静态(稳态)特性表示 性能：由动态(瞬态)响应决定 能量效率：由功耗和能耗决定 CMOS 反相器 CMOS反相器的级联 CMOS 反相器简单直流分析 静态CMOS的重要特性 输出高电平和低电平分别为Vdd和GND 逻辑电平与器件的相对尺寸无关 稳态时在输出和Vdd或GND之间总存在一条具有有限电阻的通路 CMOS反相器的输入电阻很高 在稳态工作情况下电源和地之间没有直接的通路 电压传输特性 VTC PMOS 特性曲线 CMOS 反相器的负载特性 CMOS 反相器 VTC CMOS 反相器: 瞬态响应 开关阈值 开关阈值曲线分析的意义 Vm对于器件比值相对来说不敏感。比值较小变化不会对传输特性产生很大的影响 改变Wp对Wn比值的影响是VTC的过渡区平移。增加PMOS和NMOS宽度是Vm分别向Vdd或GND移动 第二点在不对称传输特性非常有用 例:改变阈值提高电路的可靠性 VIH and VIL 的求解 反相器增益 VTC的仿真结果 增益与 VDD的关系 电源电压不能无限制的降低 能减少功耗,但也会使门的延时加大 电源电压与阈值电压相比拟,dc特性对器件参数的变化敏感 降低电源电压意味着减