谈谈DRAM的检测等级.doc

谈谈DRAM的检测等级（eTT与uTT）这段时间OCZ算是倒了大霉了，先是退出内存市场然后收购Indilinx，看来一心要扑向SSD行业了，但是却被浴室放了个重磅炸弹揭露了它使用“白片”的真相，大家可以去看看相关文章：/html/2011/storgetech_0313/215.html，OCZ今后日子会非常难过。NAND和DRAM比较类似，都是存储媒介。但是NAND由于涉及到数据安全，所以容错率比DRAM要低非常多，但是DRAM速度更快，要想分别达标，NAND和DRAM的检测机制应该各不相同，至于哪个严格，不好说。当然，它们由于性质不同，因此也并不是一条生产线。接下来我想和大家谈谈DRAM颗粒简单的检测等级区分，以及厂家采购流程等。当然，我只是个外行，晶圆是如何检测的我不知道，猜想是在一定的温度和湿度标准下进行满负荷测试然后检测它的耐久度变化。这里有一篇文章，不过应该不是正规的测试方法，大家只管参考看看：http://www.evaluationengineering ... -fallout-drams.html。我也没任何数据来证明，所以以下内容只是为了让大家知道内存颗粒的一些内幕，纯属YY。欢迎“业内人士”前来反驳，如果说得有道理，那么我们一起学习，如果是来瞎说的，那么后果就跟记忆内存二道贩子刘某一样。一个晶圆上的颗粒可能有好有坏，所以DRAM生产出来的第一步应该是切割晶圆，然后检测，封装，销售。DRAM在检测后总共要被分为三大类，我们把它分为三个等级，分别为eTT、uTT与Fail out。然后大家还要搞清楚，DRAM生产厂商与内存制造商是两回事，DRAM生产厂商是芯片级厂商，当然他们也会出原厂内存；而内存制造商与主板制造商类似，他们采购芯片级厂商的颗粒，再采购PCB，然后自己焊接封装制造内存。并且由于内存制造工艺相对比较简单，因此就出现了五花八门的内存制造商。简单的说，内存制造商是DRAM生产厂商的下游厂家。首先说一下eTT/uTT。这两个名字我相信关注内存颗粒的大家都多少有点印象，它分别是Effectively Tested/Untested的缩写，意思就是经过有效检测/未检测的。DRAM芯片级厂商会在出厂前对一部分颗粒进行一道检测工序，合格后就mark上自己的标，通常标签上会注明厂商Logo、标称的规格（ns、或者频率及时序的代号）等，然后再卖出去或者做原厂条，这就是eTT的颗粒。而另一部分颗粒由于下游内存制造商对成本控制的要求，并且DRAM厂商为增大出货量、降低成本、加快产销周期，他们就会把一部分颗粒在未经测试的情况下直接封装后卖给内存制造商，这时候他们是不会打标的，而测试、打标的环节就留给了内存制造商去做。一般国产内存品牌与那些台系小厂，为了节约成本，都会这么干。接下来大家也该知道我要说什么了，那就是：一些内存制造商未必会对uTT颗粒进行测试，或者测试的严格程度不如DRAM生产厂商，因此可靠性就会打折扣。那么，这样的uTT颗粒对用户有多大影响呢？下面我们时光倒流一下回到2005年，当年有个颗粒叫做华邦UTT，那些颗粒与更早期的华邦（Winbond）BH-5颗粒特性非常相似，都能在2.5v运行在DDR400 2-2-2-5，或者在3.2V左右运行在DDR550 2-2-2-5。那么下面我们先来看华邦的BH-5颗粒： 下载 (205.84 KB) 昨天?21:59 我们看到早期出现的华邦BH-5颗粒上都有华邦自己的标识,下标的W942508BH-5中最后三位就是我们俗称的BH-5了。其中的-5就代表5ns，也就是DDR400的规格。因此这就是标准的eTT颗粒。然而在2003年后半年开始，BH-5进入EOL阶段，市场上的BH-5颗粒也逐渐减少。但是在05年，我们又看到了另一种很生猛野蛮的颗粒，与BH-5特性非常相似，但是它们被各种打磨，真实身份让人摸不着头脑，看看下面这些：勤茂： 下载 (77.3 KB) 昨天?21:53 OCZ： 下载 (82.67 KB) 昨天?21:54 海盗船： 下载 (135.43 KB) 昨天?21:54 芝奇： 下载 (42.11 KB) 昨天?21:55 威刚： 下载 (74.33 KB) 昨天?21:55 从最后一张图，我们可以看看红圈里边的两个凹点，上边那些颗粒都有这个共同点，后来细心观察的玩家们对比了BH-5颗粒在相同的位置也有两个点，因此大家断定它就是BH-5的uTT颗粒。它的封装依然是华邦做的，但是测试和打标就是各厂商自己做的了。那么，这些uTT颗粒表现如何呢？我们可以去翻一些老帖子，结果发现华邦uTT和BH-5的表现非常接近，基本没有很明确的哪个好哪个差的说法。但是有点不一样的是，华邦uTT颗粒的价格比B