c5.4半导体激光器重点分析.pptVIP

§5.4 半导体激光器 半导体激光器是以半导体材料作为激光工作物质的； 电子跃迁发生在半导体材料导带中的电子态和价带中的空穴态之间； 在电流或光的激励下，半导体价带中的电子可以获得能量，跃迁到导带上，在价带中形成一个空穴，这相当于受激吸收过程； 价带中的空穴也可被从导带跃迁下来的电子填补而复合。在复合时，电子把多余能量以光子形式释放出来，这相当于自发辐射或受激辐射。 作业： P126: 12, 14 §5.4 半导体激光器 §5.3 染料激光器 §5.5 其他激光器 第五章 典型激光器介绍 §5.2 气体激光器 §5.1 固体激光器 * 5.4.1 半导体的能带和产生受激辐射的条件 1. 在半导体中，由于邻近原子的作用，电子所处的能态扩展成能级连续分布的能带。见图(5-23)。 图(5-23) 固体的能带 空穴 一、半导体的能带 由价电子能级分裂而成的能带叫做“价带”，而在未激发情况下无电子填入的能带叫做“空带”，若价带中的电子受激而进入空带，则此空带称为“导带”，同时，价带上由于价电子激发到导带后留下一些 “空穴”。 “价带” 和“导带”之间是“禁带”。导带底的能量和价带顶的能量之间的能量差Eg称为禁带宽度或带隙。电子不可能占据禁带。 5.4.1 半导体的能带和产生受激辐射的条件 纯净(本征)半导体材料，如单晶硅、锗等，在绝对温度为零的理想状态下，能带由一个充满电子的价带和一个完全没有电子的导带组成，此时半导体是一个不导电的绝缘体。随着温度的升高，部分电子由于热运动激发到导带中，成为自由电子。同时价带中少了一个电子，产生一个空穴。在外电场的作用下，导带中的电子和价带中的空穴都可以运动而导电，二者称为载流子。 一、半导体的能带 空穴 如在四价半导体中掺入五价元素，这种半导体称为电子型半导体或N型半导体。 N型半导体中会在导带下方形成杂质能级。杂质能级上电子很容易转移至导带上去，这种杂质称为施主。若在四价半导体中掺入三价元素，则会在价带上方形成受主杂质能级，价带上的电子可跑到受主能级上去，从而在价带上产生许多空穴。这种半导体称为空穴型半导体或P型半导体。 5.4.1 半导体的能带和产生受激辐射的条件 一、半导体的能带 2. 电子和空穴的统计分布 统计物理学指出：热平衡时，电子在能带中的分布不再服从玻尔兹曼分布，而服从费米分布，一个电子占据能量为E的能级的几率为 由上式可见，对于某一温度T，能级E上的电子占据率唯一地由费米能级EF所确定，因此可以把EF视作电子填充能级水平的一把“尺子”。 5.4.1 半导体的能带和产生受激辐射的条件 3. 杂质半导体中费米能级的位置与杂质类型及掺杂浓度有密切关系。为了说明问题，下图给出了温度极低时的情况。 费米能级的位置与杂质类型及掺杂浓度关系 ①在未掺杂质的本征型半导体中，费米能级居于禁带中央 (图a)。 ②在轻掺杂P型半导体中，受主能级使费米能级向下移动(图b) ；轻掺杂N型半导体中，施主能级使费米能级向上移动(图d); ③在重掺杂P型半导体中，费米能级向下移到价带中，低于费米能级的能带被电子填满，高于费米能级的能态都是空的，价带中出现空穴——P型简并半导体 (图c); 5.4.1 半导体的能带和产生受激辐射的条件 3. 杂质半导体中费米能级的位置与杂质类型及掺杂浓度有密切关系。为了说明问题，下图给出了温度极低时的情况。 费米能级的位置与杂质类型及掺杂浓度关系 ④在重掺杂N型半导体中，费米能级向上移到导带中，低于费米能级的能带被电子填满，高于费米能级的能态都是空的，导带中也有自由电子——N型简并半导体 (图e); ⑤双简并半导体——半导体中存在两个费米能级。 (图f ); 两个费米能级使得导带中有自由电子；价带中有空穴。 4. 在半导体中产生光放大的条件 (图a—e )中的情况都只有一个费米能级，在它上面没有自由电子，在它下面已经被电子充满，不可能发生电子跃迁，只能将外来光子吸收。 (图f )中的情况有两费米能级，导带有自由电子，价带中有空穴，如果外来光子的能量与上能带中电子和下能带中空穴之间的能量差相同，则会诱导导带中的自由电子向价带空穴跃迁而发出一个同样的光子——受激辐射。 5.4.1 半导体的能带和产生受激辐射的条件 在半导体中产生光放大的条件是在半导体中存在双简并能带，并且入射光的频率满足 5.4.2 PN结和粒子数反转 1. PN结的双简并能带结构 未加电场时，P区和N区的费米能级必然达到同一水平，如图(5-26)。 图(5-26) PN能带 (图a—e )表明用同一种材料，半导体都只有一个费米能级不能产生光放大。把P型和N型半导体制作在一起，是否可能在结区产生两个费米能级呢？