复旦集成电路工艺课件-03.pptVIP

集成电路工艺原理 仇志军 zjqiu@fudan.edu.cn 邯郸校区物理楼435室 对硅造成表面腐蚀 较难干燥 价格 化学废物的处理 和先进集成工艺的不相容 湿法清洗的问题 湿法清洗造成硅片表面粗糙度增加 表面粗糙度：清洗剂、金属污染对硅表面造成腐蚀，从而造成表面微粗糙化。SC-1中，NH4OH含量高，会对硅造成表面腐蚀和损伤。 降低沟道内载流子的迁移率，对热氧化生长的栅氧化物的质量、击穿电压都有破坏性的影响。 Ra(nm) Mixing ratio of NH4OH(A) in NH4OH+H2O2+H2O solution (A:1:5, A1) 降低微粗糙度的方法： 减少NH4OH的份额 降低清洗温度 减少清洗时间 Surface roughness (nm) Surface roughness (nm) 不同清洗（腐蚀）方法与表面粗糙度 Surface roughness (nm) Surface roughness (nm) Ebd (MV/cm) Ebd (MV/cm) 表面粗糙度降低了击穿场强 干法清洗工艺 气相化学，通常需激活能在低温下加强化学反应。 所需加入的能量，可以来自于等离子体，离子束，短波长辐射和加热，这些能量用以清洁表面，但必须避免对硅片的损伤 HF／H2O气相清洗 紫外一臭氧清洗法（UVOC） H2／Ar等离子清洗 热清洗