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第07章 外延 引言 Si气相外延的基本原理 外延层中的杂质分布 低压外延 选择外延 引言 定义：是在单晶衬底上生长一层单晶膜的技术。新生单晶层按衬底晶相延伸生长，并称此为外延层。长了外延层的衬底称为外延片。 类型 正向外延、反向外延 在低阻衬底上生长高阻外延层为正向外延。 在高阻衬底上生长低阻外延层为反向外延。 同质外延、异质外延 外延层与衬底同种材料为同质外延。如Si/Si、GaAs/GaAs 、GaP/GaP 外延层与衬底不同材料为异质外延。如Si/Al2O3、GaS/Si、GaAlAs/GaAs 直接外延、间接外延 直接外延是用加热、电子轰击或外加电场等方法使生长的材料原子获得能量，直接迁移沉积在衬底表面上完成外延生长.如真空淀积，溅射，升华等 间界外延是利用化学反应在衬底表面上沉积生长外延层 引言 外延的方法 气相外延（VPE）：技术成熟，能很好地控制薄膜厚度和晶格完整性，所以在Si工艺中一直占据着主导地位。但为了保证晶格的完整性，气相外延必须在高温（800-1150℃）下进行。 液相外延（LPE）：主要应用在Ⅲ-Ⅴ族化合物（GaAs、InP）半导体薄膜的外延制备中。 固相外延（SPE）：在离子注入后的退火中得到了应用。将离子注入后的非晶区转变为单晶区的过程可视为固相外延。 引言 外延生长的必要性 双极晶体管 可解决高频大功率器件的击穿电压和集电极串联电阻对集电区电阻率要