ch2硅片的制备.ppt

例题： CZ法制备ρ=1Ω?cm的 n-Si单晶50kg，掺As多少？ 由电阻-掺杂浓度曲线，查出砷浓度nAs=6x1015/cm3，密度ρAs=5.73g/cm3， ρsi=2.33g/cm3 ，只需掺入的As的浓度： 砷的原子量为74.92，原子量的单位为1.6606x10-27kg，掺入砷的质量为： 称量误差±1mg，浓度误差6%。采用母合金掺杂法，制备1：10的砷硅合金。 2.2.3晶体掺杂——液相掺杂 分凝系数与晶锭中掺杂浓度的关系 设晶体生长时，熔体初始重量为M0/g，初始掺杂浓度为C0(每克熔体中所含杂质重量)，若已知生长出的晶体重量为M/g时，熔体中剩余杂质为S/g。 Cs和Cl分别表示界面附近固体和液体中杂质的平衡浓度。 当晶体重量增加量为dM时，熔体中的杂质减小量： 此时，熔体中的掺杂浓度： 将(1)(2)带入k0=Cs/C1得： 已知初始杂质重量C0M0, 则对(3)式两边进行积分有： 求解上式并考虑公式(2)可得： 2.2.3晶体掺杂——液相掺杂 分凝对杂质分布均匀性影响 在CZ法长晶中，若液体凝固速度极为缓慢，杂质在熔融液中始终均匀分布，且杂质在固态晶体内扩散现象不明显，则晶锭内轴向杂质分布浓度 2.2.3晶体掺杂——液相掺杂 例题 从含有0.01%磷或硼的熔料中拉制硅锭，计算：①晶锭顶端磷或硼杂质的浓度？②如果晶锭长1m，截面均匀，在何处两种杂质浓度分别是晶锭顶端处的2倍？ 解：硅原子密度为5x1022atoms/cm3，kP=0.35， kB=0.8 晶锭顶端磷的浓度为 晶锭顶端硼的浓度为 设在xP xB处，磷、硼杂质分别为 晶锭顶端杂质浓度的2倍，即Cx=2C0 采用Czochralski法生长的硅锭含有的硼原子浓度为1016 /cm3,那么比照硅锭中的浓度值其熔体中的硼浓度是多少？如果坩埚中硅的初始装量是80kg，那么应该加入多少克硼(原子量10g/mol)？(已知熔融硅的密度是2.5g/cm3,硼的分凝系数k0为0.8,一摩尔物质中所含原子数为6.02x1023 ) 解：由k0=Cs/Cl可得： 熔体Si的体积为： 则熔体中硼原子数为： 所以，应加入的硼的质量为： 可见，如此巨量的硅只需加入少量的硼就足够了。 2.2.3晶体掺杂——液相掺杂 2.2.3晶体掺杂——液相掺杂 母合金掺杂 将杂质元素先制成硅的合金（如硅锑合金，硅硼合金），再按所需的计量掺入合金。这种方法适于制备一般浓度的掺杂。 采用母合金掺杂方式的原因：掺入杂质剂量很小，如电阻率为1Ωcm的n-Si，杂质为砷时，由电阻率-掺杂浓度曲线，砷杂质浓度6*1015/cm3,硅单位体积原子数5*1022/cm3，5千克硅，只需掺入1毫克砷，计量很小，误差难免，如果采用砷硅合金的话，就能增加掺入计量，从而减小误差。 蒸发 蒸发常数E 是指坩埚中熔体内的杂质从熔体表面蒸发到气相中的现象，用蒸发常数E来表征杂质蒸发的难易。 N=EACl 其中N为气相杂质浓度，A为液相面积。 杂质浓度分布与k、E有关。 2.2.3晶体掺杂——液相掺杂 2.2.3晶体掺杂——液相掺杂 分凝系数很小的杂质不能用液相掺杂方法 蒸发常数太大的杂质不能用液相掺杂方法 表2-1 硅中常见杂质的分凝系数和蒸发常数 参数 B Al Ga In O P As Sb 分凝系数 0.80 0.0018 0.0072 3.6*10-4 0.25 0.35 0.27 0.02 蒸发常数 5×10-6 10-4 10-3 5×10-3 10-4 5×10-3 7×10-2 利用杂质的扩散机理，在用区熔法拉制硅单晶的过程中加入气相杂质氛围，并通过控制杂质气体的杂质含量和气体流量的方法控制单晶的电阻率。 在单晶炉内通入的惰性气体中加入一定量的含掺杂元素的杂质气体。在杂质气氛下，蒸发常数小的杂质部分溶入熔体硅中，掺入单晶体内。无坩埚生长单晶法，一般采用气相掺杂方法。 2.2.3晶体掺杂——气相掺杂 中子嬗变掺杂（NTD：Neutron Transmutation Doping）又称中子辐照掺杂，是利用核反应进行掺杂的方法。 硅有三种同位素：28Si 92.28% , 29Si 4.67% ,30Si 3.05%，其中30Si有中子嬗变现象。 将纯净硅锭放在核反应堆中，用中子照射，使硅中的天然同位素30Si俘获中子后产生不稳定的31Si,经过半衰期(2.62h)的β衰变生产不稳定的31P，从而实现对硅单晶的磷(n型)掺杂。 2.2.3晶体掺杂——中子嬗变掺杂 通过控制辐